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意法半导体推出紧凑型 SO-8W 封装 6kV 磁隔离高压栅极驱动器

时间：2020-11-04 11:57来源：21 Dianyuan

摘要：这款1200V器件的输出端最大灌电流和拉电流为4A，可以简化中高功率变换器、电源和逆变器设计，增强系统可靠性,适用于家用电器和工厂自动化、风扇、电磁加热器、电焊机、不间断电源等工业设备。

中国，2020年11月4日——意法半导体发布了紧凑的高压栅极驱动器STGAP2HS，适用于栅极驱动侧与低压控制接口电路之间要求6kV电隔离的应用场景。

 
这款1200V器件的输出端最大灌电流和拉电流为4A，可以简化中高功率变换器、电源和逆变器设计，增强系统可靠性,适用于家用电器和工厂自动化、风扇、电磁加热器、电焊机、不间断电源等工业设备。
 
该器件采用意法半导体的BCD6s技术制造，具有双输入引脚，可让设计人员灵活控制信号，并提供硬件互锁保护功能，防止控制器发生故障时引发交叉导通。输入引脚兼容最低3.3V的CMOS/TTL逻辑信号，方便与控制器连接。 低高压电路之间匹配的传播延迟可防止周期失真，最大程度地减少能量损耗，并允许高频工作。在-40°C至125°C的整个温度范围内，共模瞬变抗扰度（CMTI）为±100V/ns。
 
STGAP2HS输出有两种不同的配置。 其中一个具有分离的输出引脚，两个引脚可使用不同的栅极电阻来独立优化导通和关断时间。第二种配置只有一个输出引脚，另外一个是米勒钳位功能，可防止在半桥拓扑快速换向期间出现栅极电压尖峰。每种配置都允许设计人员在上桥臂和下桥臂电路中使用N沟道MOSFET开关管，从而降低外部组件的物料清单成本。
 
除了过热保护外，STGAP2HS还有UVLO保护，防止功率开关管在低效率或危险条件下运行，提高系统可靠性。输入至输出传播延迟小于75ns，可实现精确的脉冲宽度调制（PWM）控制。除此以外芯片的待机模式帮助设计人员降低系统功耗。
 
STGAP2HS采用宽体SO-8W封装，可在节省空间的封装中确保爬电性能。
 
详情访问www.st.com/stgap2hs-pr。
 
关于意法半导体
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