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Win半导体公司提供0.45m栅技术扩展GaN工艺

时间：2018-06-26 09:22来源：大国重器

摘要：Win半导体公司，推出045m栅技术——NP45-11碳化硅基氮化镓工艺，拓展其GaN工艺能力，可支持客户为大规模MIMO无线天线系统等5G应用设计混合Doherty功率放大器，支持现有和未来5G应用。

化合物半导体代工厂——Win半导体公司，推出0.45m栅技术——NP45-11碳化硅基氮化镓工艺，拓展其GaN工艺能力，可支持客户为大规模MIMO无线天线系统等5G应用设计混合Doherty功率放大器，支持现有和未来5G应用。
 
性能参数
NP45-11技术在100毫米SiC衬底上并且工作在50V的漏偏压。在2.7GHz频段，该技术提供饱和输出功率7W/mm，18dB线性增益，未谐波调谐时提供超过65%的功率附加效率。NP45-11技术适用于亚6GHz的5G应用，如宏单元发射器和MIMO访问点，支持从100MHz到6GHz的RF功率应用。
 
应用
公司表示，环境加固的分立晶体管功率带有湿度保护和满足在55V的JEDEC JESD22-A110 biased HAST认证。结合公司的加固高压无源技术，IP3M-01，NP45-11技术将支持在低成本塑料封装中的混合功率放大器的制造。WIN目前已可提供NP45-11样品套件。
 
自评
GaN器件的性能超越现有LDMOS技术，提供更卓越的效率，以及增加的瞬时带宽和线性度，尤其是在5G射频访问网络所用更高的频带。WIN半导体功率高级副总裁David Danzilio表示：“由于在当前无线调制方案中所需的高峰值到平均效率比，输出功率和线性效率间的折中非常重要。因为更高的瞬时带宽需求和更高的工作频率，这种折中在5G应用中变得更加困难。”
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