每当这个时候，下游客户希望通过原厂FAE尽快找到解决方案，或者将遇到技术挫折归咎为芯片本身设计问题，尽管不排除芯片可能存在不适用的领域，但是大部分时候是应用层面的问题，和芯片没有关系。这种情况对新兴的第三代半导体氮化镓（GaN）原厂来说尤为常见，其根本原因是氮化镓芯片的优异开关性能所引起的测试难题，下游的氮化镓应用工程师往往束手无策。

某知名氮化镓品牌的下游客户，用氮化镓半桥方案作为3C消费类产品的电源，因电源稳定性一直存在问题，导致其产品研制受阻；工程师寻求原厂FAE技术支持，因测试结果的数据与理论数据相差悬殊，原厂FAE怀疑客户的测试手段可能存在问题，建议客户采用麦科信公司的OIP系列光隔离探头进行测试，让客户测试后再进行下一步沟通。作为光隔离探头的提供方，麦科信工程师对测试过程提供了技术支持。

测试背景：3C消费类产品，其电源采用氮化镓（GaN）半桥方案。

测试目的：氮化镓半桥上下管的Vgs及Vds，分析控制信号的时间及电压是否满足设计要求。

测试设备：示波器TO3004，光隔离探头OIP200B，高压差分探头及无源探头。

测试结果如下：

▲上管开启（黄色光隔离探头），下管关断（蓝色无源探头）

▲上管关断（黄色光隔离探头），下管开启（蓝色差分探头）

▲上管导通Vgs信号波形（光隔离探头）

▲上管关断Vgs信号波形（光隔离探头）

从以上测试结果看，在开关导通和关断的瞬间，尽管无源探头测试的是下管信号，仍然有剧烈的震荡，这是无源探头不能抑制共模干扰导致的，而OIP光隔离探头完全抑制了共模干扰，把真实的信号形态进行了呈现。
现场测试照片如下：

▲测试目标和接线

▲示波器波形画面