Diodes Incorporated 目标电动汽车产品应用推出高电流 TOLL MOSFETs

时间:2021-11-18 14:53来源:

摘要:【2021年11月18日美国德州普拉诺讯】Diodes公司(Nasdaq:DIOD)为金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)推出节省空间、高热效率的TOLL(PowerDI®1012-8)封装,能在175°C、100瓦等级的DMTH10H1M7STLWQ及DMTH10H2M5STLWQ下运作,另外,80瓦等级的DMTH8001STLWQ金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)比TO263占据的PCB面积少了百分之二十。产品的特色是剖面外的模板只有24毫米厚。

2021  11  18 日美国德州普拉诺讯】Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 为金属氧化物半导体场效晶体管 (MOSFET) 推出节省空间、高热效率的 TOLL (PowerDI®1012-8) 封装,能在 175°C、100 瓦等级的 DMTH10H1M7STLWQ及 DMTH10H2M5STLWQ 下运作,另外,80 瓦等级的 DMTH8001STLWQ 金属氧化物半导体场效晶体管 (MOSFET) 比 TO263 占据的 PCB 面积少了百分之二十。产品的特色是剖面外的模板只有 2.4 毫米厚。这特色让产品成为高可靠性电力产品应用的最佳选择,像是能量热回收、积体启动交流发电机以及电动汽车的 DC-DC 转换器。
 
TOLL封装采条带键合封装以达低封装电阻及较低的寄生电感,使得 DMTH8001STLWQ、DMTH10H1M7STLWQ 和 DMTH10H2M5STLWQ 能够在 10 W闸极驱动器下产生 1.3mΩ、1.4mΩ 和 1.68mΩ 的典型寄通电阻。此外,低寄生电感能改善 EMI 电路的表现。
 
由于焊接面积比 TO263 高出百分之五十,TOLL封装能使接面的热阻抗达 0.65°C/W, MOSFET可处理高达 270A 的电流。镀锡的梯形凹槽铅锭有助于自动光学检测 (AOI) 流程。金属氧化物半导体场效晶体管 (MOSFET) 皆符合 AEC-Q101 等级规范,由 IATF 16949  认证的设施制造,并支持 PPAP 文件。
 
 
PowerDI®  Diodes Incorporated 在美国及其他国家/地区的注册商标。
 
 关于 Diodes Incorporated
 
Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 是一家标准普尔小型股 600 指数和罗素 3000 指数成员公司,为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的全球领先公司提供高质量半导体产品。我们拥有丰富的产品组合以满足客户需求,内容包括分立、模拟、逻辑与混合信号产品以及先进的封装技术。我们广泛提供特殊应用解决方案与解决方案导向销售,加上全球 31 个站点涵盖工程、测试、制造与客户服务,使我们成为高产量、高成长的市场中的优质供货商。详细信息请参阅 www.Diodes.com
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