编者按
功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器、UPS、交流静态开关、SVC和电解氢等场合，但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解，为此我们组织了6篇连载，包括正向特性，动态特性，控制特性，保护以及损耗与热特性。
内容摘自英飞凌英文版应用指南AN2012-01《双极性半导体技术信息》。
电气特性
二极管和晶闸管的电气特性随温度变化而变化，因此只有针对特定温度给出的电气特性才是有效的。除非另有说明，否则数据手册中的所有值均适用于40至60Hz的电源频率。
最大值为制造商以绝对极限值形式给出的值，通常即使在短时间内也不可超过此值，否则可能导致元件功能下降或损坏。特征值为规定条件下的数据分布范围，可以用作进厂检验依据。
一、正向

正向断态特性为晶闸管正向特性的一部分，这部分特性描述了正向断态电流和正向断态电压的瞬 图1.断态电流iD,R(VDRM,RRM)相对于ID,R(VDRM,RRM;Tvj max)的比值与结温Tvj相对于Tvj max的比值之间的典型关系曲线

· 正向断态电流iD
iD是晶闸管处于断态时正向流过主端子的电流。在数据手册中，该值是针对电压VDRM和最高结温Tvjmax规定的。
正向断态电流随结温Tvj而变（见图7）。
· 正向断态电压vD
vD是晶闸管处于断态时正向施加于主端子的电压。
 1.  正向断态重复峰值电压VDRM
VDRM是在正向断态条件下，所有重复峰值电压中的最大重复电压值。
在直流应用中有必要降低VD(DC)。另见章节3.
考虑到工作过程中产生的瞬态电压，晶闸管工作时的电源电压峰值通常等于最高额定断态重复峰值电压除以一个介于1.5和2.5之间的安全系数。 如果在工作过程中很可能产生超过最高允许断态重复峰值电压的瞬态电压，则必须提供合适的瞬态电压保护网络（见7.1）。
2.  正向断态不重复峰值电压VDSM
VDSM是施加在晶闸管上的正向电压中的最高额定不重复峰值，任何情况下晶闸管上的正向电压都不得超过此值。
3.  正向断态直流电压VD(DC)
VD(DC)是断态模式中长期允许的正向直流电压。对于本文所述的半导体，该值大约是一半的断态重复峰值电压。这对100fit（单位时间间隔内的失效次数；1fit=每小时失效1小时失^-9次，即，器件工作10⁹小时失效一次）左右的失效率是有效的。可应要求提供不同直流电压的预期失效率。
· 正向转折电压V(BO)
V(BO)是在规定的门极电流下，晶体管从断态转换到通态时的正向电压。
例外：对于集成了转折二极管(BOD)的光触发晶闸管(LTT)，V(BO)是发生晶闸管保护性触发所需的最低电压
· 门极开路正向转折电压V(BO)0
V(B0)0是零栅电流对应的转折电压。用高于V(B0)0的电压触发晶闸管可能导致器件损坏。
例外：光触发晶闸管通过集成的转折二极管(BOD)得到保护。
· 维持电流IH
IH是使晶闸管维持通态所必需的最小通态电流值。IH随着结温的升高而减小（见图9）。
与规格相当的电触发晶闸管相比，光触发晶闸管的维持电流要小得多。
· 擎住电流IL
IL是指门极电流衰减后，晶闸管维持通态所需的通态电流。擎住电流随门极电流的变化率、峰值、持续时间以及结温而变（见图9）。
例外：与规格相当的电触发晶闸管相比，光触发晶闸管的擎住电流要小得多。
· 通态电流iT,ITAV,ITRMS，iF, IFAV, IFRMS
通态电流是晶闸管(iT,ITAV,ITRMS)或二极管(iF, IFAV,IFRMS)处于通态时流过主端子的电流。每个参数的含义是：
iT,iF=瞬时值
ITAV, IFAV=平均值
ITRMS, IFRMS=RMS（均方根） · 通态电压vT，vF
vT、vF是在规定的通态电流下施加于主端子的电压。通态电压随结温而变。数据手册中各给出的通态电压值仅对处于完全导通状态的晶闸管(vT)或二极管(vF)有效。
· 通态特性
通态特性是指在规定结温下，二极管或处于完全导通状态的晶闸管的通态电流和通态电压之间的关系。
· VT(TO)、VF(TO)和rT的等值线近似
等值线是对晶闸管(VT(TO),rT)或二极管(VF(TO),rT) 的通态特性的近似，用于计算通态功率耗散。
各参数含义为：
VT(TO)，VF(TO)=门槛电压
rT=微分电阻或斜率电阻
VT(TO)、VF(TO)的值是等值线近似与电压轴的交点值，rT是由等值线的上升率计算而来的。可能有必要根据应用调整数据手册中显示的等值线，具体取决于冷却情况。因此，在某些数据手册中，VT(TO)、VF(TO)和rT可能存在额外的低水平值。
对于具有高阻断电压的元件(T...1N,T...3N, D...1N)，等值线另外显示为对典型通态特性的近似，其描述的大约为统计分布中的50%值。在使用许多相同元件的应用中，可使用典型等值线类似计算整个装置的导通损耗。