三安集成:拆解电动智能汽车“缺芯”方程式
摘要:在4月14日开幕的慕尼黑上海电子展上,三安集成将目前的研发进展和应用方案与到场的1000余家电力电子领域领先企业交流,开展数场技术干货分享,共同推动行业的蓬勃发展。
电动智能汽车市场火热,“缺芯”正在成为制约发展的一大瓶颈。
开春以来,手机市场巨头和无人机市场独角兽先后入局电动智能汽车领域,给原本就火热的电动智能汽车市场添上一把干柴。电动智能汽车相较于传统汽车,需要更多的传感器和功率器件,以求实现外界感测、人机互动和电源转换系统效率的提升。而目前的芯片市场,“缺芯”的窘况和“涨价”的无奈,已经迅速扩展到IGBT功率模块、MCU、逻辑处理芯片、DSP和MEMS传感器芯片,随后蔓延到各类二三极管。随着全球电动电动智能汽车市场的快速发展,预计在2030年,仅中国这个最大单一市场的保有量将超过8000万辆,芯片端的供应失衡或将成为制约电动智能汽车市场发展的一大瓶颈。
事实上,整车厂商、零部件厂商正积极寻求转变,比亚迪、特斯拉、采埃孚等等企业押注以碳化硅、氮化镓为代表的下一代宽禁带半导体,抢先占位材料和器件资源。宽禁带半导体器件以其耐高温、高压的材料特性,可以提供更高功率密度和更高的能源转换效率,在电动智能汽车关键的超800伏高压快充领域,可以具备IGBT所达不到的高压工作条件,缩短充电时间;同时具备更大的开关频率、更好的耐热性能和更高的击穿电场,从而减少热管理部件并缩小模块体积,降低电力转换损耗、提高系统效率,进而在相同电池条件下提升续航里程。宽禁带半导体在电动智能汽车领域的应用已成必然趋势。
湖南三安半导体高新产业园,摄于2021年1月。
电动智能汽车车型或车型平台的开发和验证周期一般需要4年左右,今年入局的新玩家最快将在2025年左右发布原型车平台。三安集成着眼于2025年的电动智能汽车市场,提前布局碳化硅产能,于湖南长沙投资建设千亩制造基地,一期工程已于2021年1月全面封顶,机台将于5月陆续进厂调试,下半年启动投产,预计年产量达40万片六寸碳化硅晶圆。湖南基地垂直整合了自衬底材料-外延生长-晶圆制造-到封装测试等环节,提高成本效益,缩短产品迭代周期,加速宽禁带半导体在电动智能汽车领域的普及。
三安集成与慕展到场展商深入交流分享。
三安集成拥有丰富的化合物半导体制造经验,具备大规模制造能力,可以为客户提供多元灵活的合作方式。作为JEDEC JC-70的成员,三安集成参与了碳化硅和氮化镓半导体功率器件国际标准的制定。目前,三安集成拥有完备的碳化硅650V/1200V SBD产品系列,已通过AECQ车规级验证,下一步将继续推进车规级MOSFET验证,打造车规级碳化硅功率芯片研发、制造和服务平台,为电动智能汽车的充电系统提供高品质的功率芯片,满足快速崛起的电动智能汽车电驱市场。同时,针对高端服务器/PC电源、UPS电源、光伏逆变器等电源变换应用领域,三安集成也可以提供高效可靠的产品以及高品质的交付服务。
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