Nexperia 推出首款支持 USB4 标准的 ESD 保护器件
时间:2020-03-10 17:30来源:21Dianyuan
摘要:TrEOS二极管完全支持USB4TM标准;具有低钳位、低电容、低泄露特性,极高的鲁棒性
奈梅亨,三月 10, 2020:Nexperia,分立器件、MOSFET器件及模拟和逻辑器件领域的生产专家,今日宣布推出PESD2V8R1BSF,这是业内首款专门针对USB4TM标准开发的ESD保护器件,具有行业领先的RF性能。新款器件采用Nexperia的TrEOS ESD技术与有源可控硅(SCR)技术,USB4TM和Thunderbolt接口设计工程师将会特别感兴趣。该器件可实现极低电容(低至0.1 pF);极低钳位电压 动态电阻低至0.1 Ω)以及非常稳健的防浪涌与ESD性能(,最高可达20A 8/20 µs)。PESD2V8R1BSF采用超低电感SOD962封装。
Nexperia产品经理Stefan Seider评论道:“为避免信号完整性问题,PESD2V8R1BSF ESD保护二极管提供极低的插入损耗和相应的低回波损耗,在10 GHz时分别为-0.21 dB和-17.4 dB。该ESD保护器件可满足USB 3.2的较高电压要求。这意味着,该器件可放置在USB Type-C®连接器后面,用于保护耦合电容,同时仍与USB3.2向后兼容。”
TrEOS保护二极管采用非常紧凑、非常可靠的DSN0603-2 (SOD962)封装。这种广泛使用的0603外形尺寸能够带来诸多优势,包括电感极低,可提供快速保护,并且可集成到单片电路中,无需焊线,从而减少了机械应力和热应力。
如需了解新款ESD保护器件PESD2V8R1BSF的更多信息(包括产品规格和数据手册),请访问www.nexperia.com/USB4protection
关于Nexperia
Nexperia是分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模拟和逻辑器件领域高产能的生产专家,其器件符合汽车工业的严苛标准。Nexperia非常注重效率,能持续不断地满足全球各类电子设计基础器件的生产需求:年产量高达900亿件。其产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面已经成为行业基准,拥有业内最小尺寸的封装技术,可有效节省功耗及空间。
凭借几十年来的专业经验,Nexperia一直为全球各地的领先企业提供优质的产品及服务,并在亚洲、欧洲和美国拥有超过11,000名员工。公司拥有庞大的知识产权组合,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001认证。
Nexperia产品经理Stefan Seider评论道:“为避免信号完整性问题,PESD2V8R1BSF ESD保护二极管提供极低的插入损耗和相应的低回波损耗,在10 GHz时分别为-0.21 dB和-17.4 dB。该ESD保护器件可满足USB 3.2的较高电压要求。这意味着,该器件可放置在USB Type-C®连接器后面,用于保护耦合电容,同时仍与USB3.2向后兼容。”
TrEOS保护二极管采用非常紧凑、非常可靠的DSN0603-2 (SOD962)封装。这种广泛使用的0603外形尺寸能够带来诸多优势,包括电感极低,可提供快速保护,并且可集成到单片电路中,无需焊线,从而减少了机械应力和热应力。
如需了解新款ESD保护器件PESD2V8R1BSF的更多信息(包括产品规格和数据手册),请访问www.nexperia.com/USB4protection
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Nexperia是分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模拟和逻辑器件领域高产能的生产专家,其器件符合汽车工业的严苛标准。Nexperia非常注重效率,能持续不断地满足全球各类电子设计基础器件的生产需求:年产量高达900亿件。其产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面已经成为行业基准,拥有业内最小尺寸的封装技术,可有效节省功耗及空间。
凭借几十年来的专业经验,Nexperia一直为全球各地的领先企业提供优质的产品及服务,并在亚洲、欧洲和美国拥有超过11,000名员工。公司拥有庞大的知识产权组合,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001认证。
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