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X-FAB 基于 180nm 的工艺技术推出高灵敏度 SPAD 和 APD 器件

时间：2019-06-25 14:37来源：21Dianyuan

摘要：APD具有良好的线性增益特性，并且完全可扩展从仅仅10到几百微米的尺寸。使用X-FAB专有抑制电路（quenchingcircuit)，SPAD的死区时间少于15ns，因而能够支持高带宽设计。

2019年6月24日，比利时Tessenderlo
全球领先的模拟/混合信号代工厂X-FAB Silicon Foundries继续开发突破性的工艺方案以解决富有挑战性的设计，现宣布推出雪崩光电二极管（APD）和单光子雪崩二极管（SPAD) 器件，用于满足在微弱光源条件下所需的灵敏度，以及严格的时间分辨率。


基于该公司广受欢迎的180nm高压XH018工艺，这些功能块提供了高性能参数和直接集成的组合。APD具有良好的线性增益特性，并且完全可扩展从仅仅10到几百微米的尺寸。 使用X-FAB专有抑制电路（quenching circuit) ，SPAD的死区时间少于15ns，因而能够支持高带宽设计。此外，其较低的暗计数率(dark count rate: <100counts/s/µm²）意味着它对热噪声的敏感性要低得多。 SPAD的高光子探测率（PDP）确保了更高比例的入射光子触发雪崩，并且此高比例能够在很宽的波长范围内保持（例如在400nm处为40％）。

X-FAB 的APD和SPAD可用于广泛的应用领域，其中包括接近感应、激光雷达（LiDAR）、飞行时间（ToF）、医学成像（CT和PET）和科学研究。由于它们符合AEC-Q100标准，因而同样适用于汽车系统中应用。此外，已经实现的低击穿电压（<20V）有助于将它们整合到客户芯片。作为X-FAB设计套件的组成部分，它们完整的表征，并可轻松的与XH018工艺中的其他模块组合。光学和电学仿真模型以及特定的应用指南可帮助设计师在短时间内将这些器件集成到其电路中。除了以功能块格式提供外，配合SPAD工作的抑制参考电路(quenching circuit)也可提供。

X-FAB特色工艺制程分享会2019将于7月8日至12日在中国3个不同城市举行 - 北京（7月8日），西安（7月10日）和成都（7月12日）。 该活动旨在展示XFAB在精密模拟/混合信号领域的专长, 设计支持服务和代工厂解决方案，以支持汽车，工业和医疗市场. 有关我们中国路演的更多信息，请到:
https://www.xfab.com/about-x-fab/events/seminar-china

X-FAB将参加于2019年6月25至27日在圣何塞McEnery会议中心举办的传感器博览会（Sensors Expo），展位号546，届时公司团队成员将能够讨论全新APD和SPAD产品。 欲了解该展会的更多信息，请访问：https://www.sensorsexpo.com。

关于X-FAB
X-FAB是一家领先的模拟/混合信号和MEMS代工集团，能够生产用于汽车、工业、消费、医疗和其他应用领域的晶圆。通过使用X-FAB的1.0至0.13μm CMOS和SOI工艺以及特定的SiC和MEMS长寿命工艺，全球客户能够受益于其更高质量标准、卓越制造能力和创新解决方案。X-FAB能够提供模拟-数字集成电路（混合信号IC）、传感器和微机电系统（MEMS）的代工，由分布在德国、法国、马来西亚和美国的六个生产工厂制造，X-FAB在全球拥有约4,000名员工，欲了解更多信息，请访问：www.xfab.com。
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