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恩智浦凭借 GaN 晶体管为射频能量树立新效率基准

时间：2019-06-10 15:38来源：21Dianyuan

摘要：MRF24G300HS利用GaN的高效率，以245GHz超越大多数磁控管的效率，而SiC的高热导率有助于确保连续波(CW)操作。

· 首个面向2.45 GHz射频能量的GaN-on-SiC晶体管的效率超越大多数磁控管
· 与磁控管相比，固态可实现智能控制、减少维护、简化操作
· 凭借GaN-on-SiC，恩智浦可在不影响效率的情况下提供固态的所有优势

马萨诸塞州波士顿——（2019年国际微波研讨会）——2019年6月4日——恩智浦半导体（纳斯达克代码：NXPI）今日宣布推出使用碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)的针对射频能量设计的首个射频功率晶体管。MRF24G300HS利用GaN的高效率，以2.45 GHz超越大多数磁控管的效率，而SiC的高热导率有助于确保连续波(CW)操作。


50多年来，2.45 GHz磁控管广泛应用于从微波炉到高功率焊接机等消费者和工业应用领域。数年前，固态解决方案出现在市场上，实现了带来高级控制、可靠性和易用性。动态调整功率、频率和相位的能力有助于优化传输到被加热材料或食物的能量。在完全额定性能下，晶体管的长使用寿命可减少更换需求。然而，在用于射频能量的GaN-on-SiC出现之前，固态设备的效率不足以达到现有磁控管的性能标准。

MRF24G300HS是330 W CW、50 V GaN-on-SiC晶体管，在2.45 GHz时的能量转换效率为73%，比最新的LDMOS技术高五个点。GaN的高功率密度使设备能够以小尺寸实现高输出功率。与LDMOS相比，GaN技术本身具有高输出阻抗，允许宽带匹配。这缩短了设计时间，确保生产线上的一致性，无需更多手动调节。MRF24G300HS射频晶体管的简化门极偏压省去了GaN设备上常见的复杂加电序列步骤。

恩智浦无线电功率解决方案资深副总裁兼总经理Paul Hart表示：“固态的智能控制、低维护性和易用性打开了更多新应用机会，如智能烹饪和工业4.0加热设备。通过打破真空管的效率障碍，我们帮助客户释放创新力，同时不影响性能。”

供货信息
恩智浦的MRF24G300HS射频晶体管现在提供样品，计划于2019年第三季度投入生产。2400-2500 MHz参考电路现已上市，订单号为MRF24G300HS-2450MHZ。作为恩智浦合作伙伴计划的一份子，Prescient Wireless, Inc.设计出了两路共550W功率放大器模块，其增益为45 dB，该设备在IMS上展示。如需MRF24G300HS的数据手册，请访问www.nxp.com/MRF24G300HS。

关于恩智浦半导体
恩智浦半导体（纳斯达克代码：NXPI）致力于通过先进的安全连结及基础设施解决方案为人们更智慧安全、轻松便捷的生活保驾护航。作为全球领先的嵌入式应用安全连接解决方案领导者，恩智浦不断推动着安全互联汽车、端对端安全及隐私、智能互联解决方案市场的创新。恩智浦拥有超过60年的专业技术及经验，在全球逾30个国家设有业务机构，员工达30,000人，2018年全年营业收入94.1亿美元。更多信息请登录www.nxp.com。
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