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新加坡 AMF 发布面向 1550nm 激光雷达的 Ge-on-Si APD 阵列

时间：2018-11-22 09:27来源：21Dianyuan

摘要：该公司称其LiDAR传感器与传统固态传感器相比具有卓越的性能和成本优势。据报道，传统固态传感器通常由成本昂贵的材料制造，并且由于905nm短波长激光低功率的限制，而面临探测距离短的问题。

本文作者：麦姆斯咨询殷飞

据麦姆斯咨询报道，新加坡Advanced Micro Foundry（AMF）近日宣布推出基于硅基锗雪崩光电探测器阵列（Ge-on-Si APD）技术的1550 nm波长激光雷达（LiDAR）传感器。该公司称其LiDAR传感器与传统固态传感器相比具有卓越的性能和成本优势。据报道，传统固态传感器通常由成本昂贵的材料制造，并且由于905nm短波长激光低功率的限制，而面临探测距离短的问题。


过去二十年来，高增益、低噪声硅基APD和硅光电倍增管（SiPM）已经开发并商业化用于可见光波段。然而，由于透镜会将激光聚焦到眼睛的视网膜上而引起潜在危险，因此即使在相对较低的功率下，905nm及更短波长的准直激光束对行人也是有风险的。

据AMF称，因此，最大允许暴露（MPE）方面的安全要求，限制了LiDAR在这些波长下的探测范围和发射器能量。相反，在1550nm波段，大部分光在到达视网膜之前就会被眼球的透明部分吸收，这降低了近红外（NIR）LiDAR的MPE要求。宽容度更大的MPE吸引了行业对1550nm 波长LiDAR及其APD接收组件的关注。

目前，最先进的市售1550nm波长APD主要是III-V族APD，它们对CMOS不兼容且成本较高。早在2013年，AMF就报道了310-GHz增益带宽产品SACM Ge APD。不过，在LiDAR应用中，接收器仅探测来自目标的弱散射光，因而要求APD具有高灵敏度和大探测范围，以增强散射光捕获能力和更好的信噪比。

最近，AMF针对LiDAR应用开发了1550nm波段运行的Ge-on-Si APD阵列。其单个APD像素在90％击穿电压的正常工作电压下显示出3.2A/W的响应度，暗电流为2.2 mA，击穿热系数为0.029 V/℃，3 dB带宽为9 GHz。5 x 5 APD阵列上的25个像素显示出了高一致性，响应度变化小于5％，带宽高达1GHz，非常适用于LiDAR应用。

面向下一代光学产品的创新技术平台
AMF专注于广泛应用的新技术平台的原型设计服务和批量生产。AMF合作伙伴可以利用这些世界级的平台来开发他们的产品。AMF服务包括定制平台开发，200mm晶圆批量生产，集成MEMS光学组件，封装和光电测试。

 
 
AMF还通过即用型IP设计模块为关键构建模块提供设计支持。这些IP模块可以显着缩短客户产品上市时间。

关于AMF
AMF脱胎自新加坡科学技术研究局微电子研究所（IME，A*STAR）并于2017年成立。过去十年来AMF的卓越核心技术获得了全球肯定，并广泛应用于多个市场。

AMF专门为硅光子集成电路提供定制化的原型设计和批量晶圆制造服务。AMF的制造服务是数据中心、电信、汽车、医疗和环境传感器等新兴市场全球客户的支柱技术。

AMF提供代工服务，使客户能够为云计算、云安全、5G通信、自动驾驶汽车和诊断芯片等广泛应用开发并制造集成光子芯片。AMF基于硅、SOI（绝缘体上硅）、SiN（氮化硅）和锗材料为客户提供定制化的技术平台服务。
 
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