IR 25V及30V MOSFET适于同步降压转换器应用_资讯频道

时间：2009-05-19 08:50来源：世纪电源网

摘要：国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)推出一系列新型25V及30VN通道沟道HEXFET功率MOSFET。它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能，适用于消费和网络领域的计算应用。新M...

国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道沟道 HEXFET 功率 MOSFET 。它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能，适用于消费和网络领域的计算应用。

IR 25V及30V MOSFET适于同步降压转换器应用

新 MOSFET 系列采用了 IR 经过验证的硅技术，可提供基准通态电阻 (RDS) ，并且提高了转换性能。新器件的低传导损耗改善了满载效率及热性能，即使在轻负载条件下，低转换损耗也有助于实现高效率。

单双 N通道 MOSFET 现已开始供应。除了 D-PAK、I-PAK 和 SO-8 封装之外，单个 N通道器件也可在高量产时实现优化，采用 PQFN 5×6mm 和 3×3mm 封装，而双 N通道器件则采用 SO-8 封装。新器件符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) ，可以不含卤素。

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