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美国Integra Technologies公司推出S波段雷达应用的GaN-on-SiC射频和微波晶体管

时间：2018-05-21 17:05来源：Integra Technologies

摘要：美国IntegraTechnologies公司推出一对135瓦和130瓦碳化硅基砷化镓（GaN-on-SiC）射频和微波晶体管，可用于S波段雷达应用。

近日，美国Integra Technologies公司推出一对135瓦和130瓦碳化硅基砷化镓（GaN-on-SiC）射频和微波晶体管，可用于S波段雷达应用。
 
IGT2731M130是一款50欧姆匹配的高功率GaN高电子迁移率晶体管（HEMT），在脉冲为300微秒、占空比为10％时，可提供至少130瓦的峰值脉冲功率，增益为13.5 dB，漏极效率为55％。
 
瞬时工作频率范围为2.7至3.1 GHz，并且是耗尽型器件。该器件需要负栅极偏置电压。
 
IGT3135M135工作在3.1至3.5 GHz的瞬时工作频率范围内，提供高达135瓦的峰值脉冲功率。该晶体管也是50欧姆匹配的高功率GaN HEMT晶体管，也是需要负栅偏置电压的耗尽型器件。
 
这两款产品均采用Integra PL44A1封装，尺寸为0.8英寸宽，0.4英寸长。通过采用金属化的芯片和导线技术进行组装，两个单元均采用金属封装，并用陶瓷环氧盖密封。
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