东芝推出搭载高效静电放电保护、用于驱动 LED 前照灯的小型 MOSFET_资讯频道

时间：2018-03-30 08:57来源：东芝半导体&存储产品

摘要：东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出搭载高效静电放电保护的双MOSFET“SSM6N813R”，该产品适用于需要耐高电压和小尺寸的汽车应用，包括LED前照灯驱动器IC。

东京-- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出搭载高效静电放电保护的双MOSFET “SSM6N813R”，该产品适用于需要耐高电压和小尺寸的汽车应用，包括LED前照灯驱动器IC。量产出货将于四月启动。

100V的最大漏源极电压（V_DSS）可确保SSM6N813R适用于需要多个LED的前照灯应用，高抗静电能力为此提供支持。SSM6N813R采用最新工艺制造，使用 TSOP6F封装，具备1.5W的允许功耗和低导通电阻。此外，TSOP6F的封装尺寸比SOP8封装小70%。

应用场合

汽车LED前照灯驱动器

· 小型封装
· 高静电保护等级
· 低R_DS（ON）

（@T_a=25℃）

欲了解更多关于东芝最新小型低导通电阻MOSFET的信息，请访问：
https://toshiba.semicon-storage.com/cn/product/mosfet/small-mosfet.html

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