骁龙855曝光:7nm 工艺/台积电独家代工

时间:2018-02-28 09:10来源:凤凰科技

摘要:骁龙845新机刚刚才在MWC2018大会上发布,台媒就爆出关于下一代骁龙855旗舰处理器的猛料信息。

骁龙845新机刚刚才在MWC2018大会上发布,台媒就爆出关于下一代骁龙855旗舰处理器的猛料信息。消息称,骁龙855将采用更先进的7纳米FinFET制程工艺,集成骁龙X24 LTE基带,其传输速率高达2Gbps,可以说是地表最强基带。骁龙X24基带芯片也将采用7纳米FinFET工艺,台积电将独家代工。
 
消息人士还称,今明两年7nm芯片代工已由台积电拿下,明年下半年开始试产的5G芯片则交由三星7纳米EUV制程生产。
 
 
对于高通7纳米骁龙X24基带芯片,据称其最高支持7载波聚合,是全球首款Cat 20 LTE的基带芯片,能够同时支持20路的LTE数据流,也就是说能合理利用运营商提供的全部频谱资源。在此次MWC2018大会上,高通将与Telstra、Ericsson、Netgear等设备商或运营商进行骁龙X24的传输演示。
 
骁龙855处理器除了传输速度全球最快外,还会加强人工智能以及相机ISP等运算功能,也不排除加入第三代超声波屏幕指纹识别方案。骁龙855将于今年年底亮相。
 
台积电除了拥有高通7nm订单外,第二季度后也将为苹果、赛灵思、超威、英伟达、海思等代工7纳米芯片。台积电董事长张忠谋表示,现阶段台积电7纳米的市占率已达到100%。
免责声明:本文若是转载新闻稿,转载此文目的是在于传递更多的信息,版权归原作者所有。文章所用文字、图片、视频等素材如涉及作品版权问题,请联系本网编辑予以删除。
我要投稿
近期活动
帖子推荐更多

Copyright 2008-2024 21dianyuan.com All Rights Reserved 备案许可证号为:津ICP备10002348号-2