三星电子、SK 海力士之后，美光攻克 GDDR6 显存_资讯频道

时间：2018-01-26 13:45来源：电子技术应用网

摘要：三星电子、SK海力士之后，美光今天也宣布了自己的GDDR6显存方案，但和其他两家有明显不同。

三星电子、SK 海力士之后，美光今天也宣布了自己的 GDDR6 显存方案，但和其他两家有明显不同。

首先，美光并不是自己单干，而是集结了几位合作伙伴，自己出 GDDR6 存储颗粒，Rambus 提供物理层，Northwest Logic 负责控制器，Avery Design 搞定验证IP。

Rambus 曾经是内存行业臭名昭著的“专利流氓”，四处控告其他科技公司侵犯其专利，搞得鸡犬不宁，不过单就技术而言，Rambus也确实很有两把刷子。

这次他们提供的 GDDR6 物理层兼容行业标准，可满足 ASIC、SoC 布局需求，速度支持12Gbps、14Gbps、16Gbps，两个16位通道高最大带宽512Gbps。

从美光官网刊出的规格表中可以看到，美光 GDDR6只有8Gb（1GB）容量一种版本，电压也分为1．35V、1．25V，前者对应速率14／13／12Gbps，后者对应12／10Gbps，和 SK 海力士的有些类似，都不如三星电子。

不过美光表示，他们的 GDDR6显存不仅仅适用于传统显卡，还可满足高性能网络、自动驾驶、AI人工智能、5G 通信基础架构等更多领域的需求。

这也是他们联合多家企业共同设计的主要原因，扩大 GDDR6的覆盖范围。

美光 GDDR6目前已经试产，今年第一季度量产。

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