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MOS 管功率损耗竟然还可以这么测

时间：2017-11-16 10:39来源：ZLG 致远电子

摘要：MOSFETIGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFCMOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索，那么该如何量化评估呢？

MOSFET/IGBT 的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFC MOSFET 的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索，那么该如何量化评估呢？

1.1 功率损耗的原理图和实测图

一般来说，开关管工作的功率损耗原理图如图 1所示，主要的能量损耗体现在“导通过程”和“关闭过程”，小部分能量体现在“导通状态”，而关闭状态的损耗很小几乎为0，可以忽略不计。

图 1开关管工作的功率损耗原理图

实际的测量波形图一般如图 2所示。

图 2开关管实际功率损耗测试

1.2 MOSFET 和 PFC MOSFET 的测试区别

对于普通 MOS 管来说，不同周期的电压和电流波形几乎完全相同，因此整体功率损耗只需要任意测量一个周期即可。但对于 PFC MOS 管来说，不同周期的电压和电流波形都不相同，因此功率损耗的准确评估依赖较长时间（一般大于 10ms），较高采样率（推荐 1G 采样率）的波形捕获，此时需要的存储深度推荐在 10M 以上，并且要求所有原始数据（不能抽样）都要参与功率损耗计算，实测截图如图 3所示。