三星 11nm FinFET 欲登场台积电的大麻烦_资讯频道

时间：2017-09-12 09:56来源：电子技术应用

摘要：三星电子宣布，在其晶圆代工产品组合中将增加11nm的FinFET工艺。

三星电子宣布，在其晶圆代工产品组合中将增加 11nm 的 FinFET 工艺。

公司表示，11nm LPP 或者 11LPP 是从上一代 14nm 工艺进一步发展而来，它能提供15%的性能提升，减少10%面积，但功耗却保持不变。

三星补充道：使用该制程的产品将在2018年上半年才开始。

这位韩国科技巨头在去年年底就为自己的芯片和客户提供了先进的 10nm 工艺，目前也在为最新的 Galaxy Note 8 的处理器使用第二代 10nm 工艺。

三星表示，10nm 工艺是针对旗舰手机的处理器，而 11nm 则将被用于中高端手机。将为客户提供“更广泛的选择”。

三星正在与台积电进行 10nm 工艺竞争，并将成为第一个部署 7nm 制程的公司。

得益于极紫外（EUV）光刻技术的成熟，三星表示其 7nm 的定价和收益的优势高于台积电。

三星还在计划能在2018年上半年提供8nm制程，该工艺将比台积电 7nm 工艺在价格竞争上更具优势，而且在技术水准上却很接近。

自2014年以来，三星已经使用 EUV 光刻制造了20万个晶圆，并包揽了805的 256M SRAM 产量。

今年5月，三星将芯片制造部门提升为一项业务。它以前是在逻辑芯片业务下生产处理器的。

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