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全新高压MOSFET高效支持大小功率应用

时间：2017-04-11 10:17来源：

摘要：2017年4月10日，德国慕尼黑讯—英飞凌科技股份公司（FSE:IFXOTCQX:IFNNY）壮大现有的CoolMOS™技术产品阵容，推出600VCoolMOS™P7和600VCoolMOS™C7Gold(G7)系列。这两个产品系列的击穿电压高达600V，具备更出色的超结MOSFET性能。它们可在目标应用中实现非常出色的功率密度。

2017年4月10日，德国慕尼黑讯—英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）壮大现有的CoolMOS™技术产品阵容，推出600 V CoolMOS™ P7和600 V CoolMOS™ C7 Gold (G7)系列。这两个产品系列的击穿电压高达600 V，具备更出色的超结MOSFET性能。它们可在目标应用中实现非常出色的功率密度。

600 V CoolMOS P7：高效率和易用性的优化组合
新推出的P7树立效率标杆并具备更高的性价比，可大大简化设计。该器件的目标应用包括充电器、适配器、照明装置、电视、PC电源、太阳能、服务器、电信和电动汽车充电等，其功率级别从100 W到15 kW不等。在不同的拓扑中，600 V CoolMOS P7能够将目标应用的效率提高1.5%，并且，相比竞争产品而言，工作温度最多可降低4.2 °C。

表面贴装（SMD）和通孔封装型号的导通电阻RDS(on) 范围均为37 - 600 mΩ，因此，600 V CoolMOS P7适合功率范围很宽的多种应用。此外，超过2 kV（HBM）的出色的防静电能力可保护器件免受生产中的静电放电损坏，从而有效提高制造品质。最后，坚固耐用的体二极管能在LLC电路中硬换向事件期间保护器件。

600 V CoolMOS C7 Gold(G7)：一流的FOM采用创新型无引线SMD TO封装
G7具备较低的导通电阻RDS(on)、最小的栅极电荷QG，同时存储于输出电容的能量减少，并具备无引线TO封装的4管脚开尔文源极能力。这可以最大限度降低PFC和LLC电路中的损耗，并将性能提升0.6%，同时提高PFC电路的满载效率。G7只有1 nH的极低源极寄生电感,也有助于提高效率。

G7采用无引线TO封装，热性能得以改善，适用于大电流的设计，同时SMD工艺有助于降低安装成本。此外，600 V G7具备业界最低的导通电阻RDS(on) ，从28 mΩ到150 mΩ不等。相比传统的D2PAK封装而言，该器件的表面积、高度和占板空间分别减小30%、50%和60%。所有这些特性，使该器件成为服务器、电信、工业和太阳能等应用领域实现最高效率并树立功率密度标杆的理想选择。

供货情况
600 V CoolMOS P7与600 V CoolMOS C7 Gold系列器件已开始批量生产，可订购样品。了解更多信息请访问：www.infineon.com/600v-p7和www.infineon.com/c7-gold-toll.

关于英飞凌
英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体科技公司，我们让人们的生活更加便利、安全和环保。英飞凌的微电子产品和解决方案将带您通往美好的未来。2016财年（截止9月30日），公司的销售额达65亿欧元，在全球范围内拥有约36,300名员工。英飞凌在法兰克福证券交易所（股票代码：IFX）和美国柜台交易市场 OTCQX International Premier（股票代码：IFNNY）挂牌上市。

英飞凌中国
英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来，英飞凌的业务取得非常迅速的增长，在中国拥有约2000名员工，已经成为英飞凌亚太乃至全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链，并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。

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