安森美半导体增强CCD图像传感器的近红外性能

时间:2016-07-20 13:47来源:世纪电源网

摘要:2016年7月12日-推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),采用提升CCD图像传感器的近红外灵敏度的技术,增强在严格要求的工业应用中的成像性能。

新的800万像素器件是首款提升近红外灵敏度的产品,
用于科学和医疗成像、机器视觉和智能交通系统
 
 
 
2016 712日 - 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号: ON),采用提升CCD图像传感器的近红外灵敏度的技术,增强在严格要求的工业应用中的成像性能。
 
800万像素(MP) KAI -08052图像传感器是安森美半导体CCD产品阵容中首款采用该新技术的器件,提供的近红外(NIR)波长灵敏度达公司标准的Interline Transfer  CCD 像素设计的两倍。此增强的灵敏度对以下应用非常关键:如科学和医疗成像等应用中在NIR波长中取样发光或发出荧光;或在机器视觉和智能交通系统(ITS)中,NIR照明通常用于更佳地检查目标或隔离车辆的车牌。
 
KAI-08052采用的新的CCD像素设计延伸硅片中的电子捕获区,以更佳地捕获长波长光子产生的电子。视乎研究的特定波长,这种更深的像素井可以提高检测的NIR波长达一倍。由于井结构也使光电二极管彼此隔离,从而提高了NIR灵敏度而不减少图像清晰度(调制传递函数或MTF)。
 
安森美半导体图像传感器部工业和安防分部副总裁兼总经理Herb Erhardt说:“摄像机制造商和终端客户不断证实这些市场需要基于CCD和CMOS技术的产品,我们持续开发和推进这两种技术很重要。KAI-08052比我们标准的像素设计显著提升NIR灵敏度,我们将采用这种技术推出更多的产品。”
 
  
KAI-08052采用符合限制使用有害物质指令(RoHS)的CPGA-67封装,提供黑白、拜耳色和Sparse Color配置,与现有的KAI-08051图像传感器及全系列的5.5 µm和7.4 µm CCD图像传感器完全引脚兼容,使摄像机制造商能快速采用新的器件。
 
 
关于安森美半导体
安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON)致力于推动高能效电子的创新,使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案,提供全面的高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统级芯片(SoC)及定制器件阵容。公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、医疗、航空及国防应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目,一套强有力的守法和道德规范计划,及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。更多信息请访问http://www.onsemi.cn
 
 
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