防范ESD损失 安森美半导体专家分享设计心得
摘要:高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor)日前在台北举行的第七届静电放电保护技术研讨会上,针对如何防止静电放电(ESD)所带来的损失,从元件、制造和系统三个层级的技术面加以探讨,为业界提供实质建议。要有效降低ESD所带来的损害,除了可选择在制程中直接控制ESD之...
高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)日前在台北举行的第七届静电放电保护技术研讨会上,针对如何防止静电放电(ESD) 所带来的损失,从元件、制造和系统三个层级的技术面加以探讨,为业界提供实质建议。要有效降低ESD所带来的损害,除了可选择在制程中直接控制ESD之外,也可以在电子元件中加强抵抗ESD的装置。安森美半导体长期投入于研发ESD保护技术,通过先进的ESD保护技术和完整的产品系列,使电子元件具备优异的电路保护性能。
ESD是整个电子产业共同面临的问题,影响相当广泛,包括生产、封装、测试、以及搬运等每个环节都会受到ESD的影响,静电往往会累积在人体、仪器和存放设备当中,甚至电子元件本身也会累积静电。因此所有IC都必须通过测试来检测是否能使元件免受ESD的损害,这些测试标准包括人体放电静电模式 (Human Body Model;HBM)、机器放电模式 (Machine Model;MM),以及与集成电路(IC)封装大小关系密切的元件充电模式 (Charged Device Model;CDM)。
安森美半导体ESD分立产品部的资深专家Robert Ashton博士,在今日的静电放电保护技术研讨会中,特别针对如何配置资源以保护ESD发表演说。Robert Ashton认为,ESD的影响广泛,但不代表必须针对制造与设计流程,均匀的分配资源来防范ESD的影响。事实上在元件层级的ESD保护上,耗费过多资源只为使IC通过HBM和CDM测试标准,并非明智之举,尤其是业界应进一步探究CDM与元件封装尺寸之间的关系。而在制造领域,厂商应随时提高警觉并改进元件的输送传递;Charged Board Event (CBE) 事件测试,可作为一个实用的测试工具,但不应发展成IC品质管理测试。
在系统层级的ESD保护上,Robert Ashton强调从产品着手的重要性,他说:“ESD的控制对便携产品来说,是必需品,不是选项,业界必须投入更多努力,让电子元件更具备抵抗ESD的条件。目前最受国际间多数国家认同的静电测试规范是 IEC 61000-4-2,国际组织ESDA(静电放电保护工程学会)正着手推展和这个测试规范相关的工作,我们期待能尽快看到成熟且稳定一贯的测试方案。”
Robert Ashton说:“IC设计人员应努力为系统开发完善的ESD保护机制,最重要的是当我们在探讨究竟应配置更多的资源于ESD控制,或是设法让电子元件和系统更能抵挡ESD时,必须同时针对成本、技术以及客户本身的需求进行全盘考虑。”
安森美半导体在ESD保护技术上已耕耘多年,陆续开发出先进且完整的产品系列,例如领先业界的ESD7L5.0D和NUP4212,能够将15千伏(kV)的输入ESD波形在数纳秒(ns)内使钳位低于7伏(V),提供最高水平的保护;而NUP4016与ESD11L5.0D用于便携装置高速数据线路保护,采用获得专利的先进集成ESD保护平台,在增强钳位性能的同时,还能维持超低电容和极小裸片尺寸。安森美半导体的ESD保护元件系列持续领先业界,不但因应客户需求而设计,而且没有无源技术的磨损问题,所以即使经过ESD的多次浪涌,其可靠性与性能仍不受影响。
http://www.21dianyuan.com/supply/supplyhome/company.php?company_id=1544
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