基于功率MOSFET设计
摘要:基于功率MOSFET设计考量,用作功率开关的MOSFET随着数十年来器件设计的不断优化,功率MOSFET晶体管带来了新的电路拓扑和用作功率开关的MOSFET随着数十年来器件设计的不断优化,功率MOSFET晶体管带来了新的电路拓扑和电源效率的提升。功率器件从电流驱动变...
基于功率MOSFET设计考量,用作功率开关的MOSFET随着数十年来器件设计的不断优化,功率MOSFET晶体管带来了新的电路拓扑和
用作功率开关的MOSFET
随着数十年来器件设计的不断优化,功率MOSFET晶体管带来了新的电路拓扑和电源效率的提升。功率器件从电流驱动变为电压驱动,加快了这些产品的市场渗透速度。上世纪80年代,平面栅极功率MOSFET首度面向高压器件,BVDSS电压范围达到500-600V,取得市场的成功。在这个时期,功率MOSFET的传导损耗主要取决于沟道密度、结型场效应管(JFET)阻抗和外延阻抗(参见图1)。随着半导体行业光刻设备越来越精密,提高了晶体管单元密度,传导损耗因而得以改善。光刻设备能够实现更高的单元密度,同时也促使功率MOSFET的BVDSS范围成功地下降到100V以内,实现了新的汽车电子、电源和电机控制应用。高压MOSFET的传导损耗问题也就转移到外延设计之上。另一方面,MOSFET器件在降压转换器中的使用,以及更宽的电源电压范围(30V)要求,激发了市场对更高性能器件的需求。
图1:平面功率MOSFET的导通阻抗元件
上世纪90年代初期平面功率MOSFET技术的长足发展之时,出现了一类新型沟道栅极功率MOSFET,为低压器件设立了新的性能标杆。这类沟道MOSFET采用一种嵌入在沟道区域并细致地蚀刻到器件的栅极结构,使得沟道密度增加一倍(第一代产品就达到每平方英寸1200万个单元)。由于新技术能够增加并行传导通道的数量并减少JFET阻抗元件,因此使到传导效率提高近30%。
器件设计人员面对的挑战是:技术提升除了增加单元密度,因为栅极-漏极区域交叠面积和栅极-源极交叠面积增加,所以同时引起容抗和栅极电荷的增加。因此,器件设计人员一直希望通过结构创新来减少开关损耗。飞兆半导体公司于1998年推出一种专为高效降压转换器而优化的沟道栅极功率MOSFET,也就是第一代PowerTrench® 产品。如今PowerTrench®已经过七代改进优化,演变为最新的降压转换器部件。
针对同步整流拓扑的功率MOSFET优化
随着首批微控制器开始使用有别于计算机的标准5V或12V电源,功率MOSFET也开始获得广泛应用。将直流电压转换成更低电压的旧式降压转换器,成为低电压开关功率器件发展的应用驱动力。而且开发焦点也从AC-DC开关电源和电机驱动,转向要求更严苛的处理器以及能满足特定的供电要求的相关外设组件。
作为处理器电源的降压转换器随即增配同步整流器以改善效率,并使用同步开关功率MOSFET来补充并最终替代肖特基整流二极管,从而降低传导损耗。而移动计算技术的出现,对转换器效率提出了更高求,进而推动了该技术的高度演进,成为现代功率MOSFET中使用的模式。
在高技术水平下,易于确定对降压转换器MOSFET的要求。在大多数情况下,同步整流器或SyncFET™都在导通状态下工作,并且其导通阻抗应当很小,以最大限度减少功耗。高侧开关MOSFET由直流电源驱动,生成电脉冲,然后经LC滤波器平滑处理成连续的电压,再施加到负载上。因为MOSFET的主要损耗来自开关动作,而且导通时间很短,所以开关器件速度要够快,而且导通阻抗要够小。开关和整流两个环节交替处于导通状态,但导通时段不能重叠,否则电源和接地间便会形成所谓直通(shoot-through),直接造成功率损耗。当开关器件导通时,SyncFET™的漏极电压瞬变将在栅极CGS上产生感应电流和电压,其大小则取决于CGS和CGD的幅度及两者的比率以及开关瞬变速率。如果栅极电压超过阈值,器件将再次导通,导致直通。所以只要CGS/CGD比率足够大,便能够防止漏极电压瞬变诱发直通。
- 安森美汽车&能源基础设施白皮书下载活动时间:2024年04月01日 - 2024年10月31日[立即参与]
- 2023年安森美(onsemi)在线答题活动时间:2023年09月01日 - 2023年09月30日[查看回顾]
- 2023年安森美(onsemi)在线答题活动时间:2023年08月01日 - 2023年08月31日[查看回顾]
- 【在线答题活动】PI 智能家居热门产品,带您领略科技智慧家庭时间:2023年06月15日 - 2023年07月15日[查看回顾]
- 2023年安森美(onsemi)在线答题活动时间:2023年06月01日 - 2023年06月30日[查看回顾]
- 汽车电子电源行业可靠性要求,你了解多少?
- 内置可编程模拟功能的新型 Renesas Synergy™ 低功耗 S1JA 微控制器
- Vishay 推出高集成度且符合 IrDA® 标准的红外收发器模块
- ROHM 发布全新车载升降压电源芯片组
- 艾迈斯半导体推出行业超薄的接近/颜色传感器模块,助力实现无边框智能手机设计
- 艾迈斯半导体与 Qualcomm Technologies 集中工程优势开发适用于手机 3D 应用的主动式立体视觉解决方案
- 维谛技术(Vertiv)同时亮相南北两大高端峰会,精彩亮点不容错过
- 缤特力推出全新商务系列耳机 助力解决开放式办公的噪音难题
- CISSOID 和泰科天润(GPT)达成战略合作协议,携手推动碳化硅功率器件的广泛应用
- 瑞萨电子推出 R-Car E3 SoC,为汽车大显示屏仪表盘带来高端3D 图形处理性能
众所周知,LED的驱动IC担负着在输入电压不稳定的情况下,为LED提供恒定的电流,并控制恒定(可调)亮度的作用。无论是室内照明,还是车载应用,都肩负着极为重要的使命。
- 关于反激电源效率的一个疑问
时间:2022-07-12 浏览量:10178
- 面对热拔插阐述的瞬间大电流怎么解决
时间:2022-07-11 浏览量:8936
- PFC电路对N线进行电压采样的目的是什么
时间:2022-07-08 浏览量:9581
- RCD中的C对反激稳定性有何影响
时间:2022-07-07 浏览量:7195
- 36W单反激 传导7~10M 热机5分钟后超标 不知道哪里出了问题
时间:2022-07-07 浏览量:5969
- PFC电感计算
时间:2022-07-06 浏览量:4179
- 多相同步BUCK
时间:2010-10-03 浏览量:37866
- 大家来讨论 系列之二:开机浪涌电流究竟多大?
时间:2016-01-12 浏览量:43161
- 目前世界超NB的65W适配器
时间:2016-09-28 浏览量:60024
- 精讲双管正激电源
时间:2016-11-25 浏览量:128113
- 利用ANSYS Maxwell深入探究软磁体之----电感变压器
时间:2016-09-20 浏览量:107558
- 【文原创】认真的写了一篇基于SG3525的推挽,附有详细..
时间:2015-08-27 浏览量:100295