Vishay的新款80 V对称双通道 MOSFET的RDS(ON) 达到业内先进水平,可显著提高功率密度、能效和热性能
时间:2024-03-15 11:59来源:
摘要:Vishay的新款80V对称双通道MOSFET的RDS(ON)达到业内先进水平,可显著提高功率密度、能效和热性能节省空间型器件所需PCB空间比PowerPAIR
Vishay的新款80 V对称双通道 MOSFET的RDS(ON) 达到业内先进水平,可显著提高功率密度、能效和热性能
节省空间型器件所需PCB空间比PowerPAIR 1212封装分立器件减少50 %,有助于减少元器件数量并简化设计
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年3月14日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT,将高边和低边TrenchFET® Gen IV MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT适用于工业和通信应用功率转换,在提高功率密度和能效的同时,增强热性能,减少元器件数量并简化设计。
日前发布的双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1212封装分立器件,节省50%基板空间。器件为设计人员提供节省空间的解决方案,用于同步降压转换器、负载点(POL)转换器、DC/DC转换器半桥和全桥功率级,适用领域包括无线电基站、工业电机驱动、焊接设备和电动工具。这些应用中,SiZF4800LDT高低边MOSFET提供50%占空比优化组合,同时4.5 V下逻辑电平导通简化电路驱动。
为提高功率密度,该MOSFET 在4.5 V条件下导通电阻典型值降至18.5 mW,达到业内先进水平。比相同封装尺寸最接近的竞品器件低16 %。SiZF4800LDT低导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET功率转换应用重要优值系数(FOM)为 131mW*nC,导通电阻与栅极电荷乘积提高了高频开关应用的效率。
器件采用倒装芯片技术增强散热能力,热阻比竞品MOSFET低54 %。SiZF4800LDT导通电阻和热阻低,连续漏电流达36 A,比接近的竞品器件高38 %。 MOSFET独特的引脚配置有助于简化PCB布局,支持缩短开关回路,从而减小寄生电感。SiZF4800LDT经过100% Rg和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。
竞品对比表:
SiZF4800LDT现可提供样品并已实现量产,供货周期为26周。
VISHAY简介
Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com。
The DNA of tech®是Vishay Intertechnology的商标。PowerPAIR和TrenchFET是 Siliconix公司的注册商标。
节省空间型器件所需PCB空间比PowerPAIR 1212封装分立器件减少50 %,有助于减少元器件数量并简化设计
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年3月14日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT,将高边和低边TrenchFET® Gen IV MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT适用于工业和通信应用功率转换,在提高功率密度和能效的同时,增强热性能,减少元器件数量并简化设计。
日前发布的双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1212封装分立器件,节省50%基板空间。器件为设计人员提供节省空间的解决方案,用于同步降压转换器、负载点(POL)转换器、DC/DC转换器半桥和全桥功率级,适用领域包括无线电基站、工业电机驱动、焊接设备和电动工具。这些应用中,SiZF4800LDT高低边MOSFET提供50%占空比优化组合,同时4.5 V下逻辑电平导通简化电路驱动。
为提高功率密度,该MOSFET 在4.5 V条件下导通电阻典型值降至18.5 mW,达到业内先进水平。比相同封装尺寸最接近的竞品器件低16 %。SiZF4800LDT低导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET功率转换应用重要优值系数(FOM)为 131mW*nC,导通电阻与栅极电荷乘积提高了高频开关应用的效率。
器件采用倒装芯片技术增强散热能力,热阻比竞品MOSFET低54 %。SiZF4800LDT导通电阻和热阻低,连续漏电流达36 A,比接近的竞品器件高38 %。 MOSFET独特的引脚配置有助于简化PCB布局,支持缩短开关回路,从而减小寄生电感。SiZF4800LDT经过100% Rg和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。
竞品对比表:
产品编号 | SiZF4800LDT (新品) | 竞品 | SiZF4800LDT 性能改进型 |
|
封装 | PowerPAIR 3x3FS | PowerPAIR 3x3FS | ||
尺寸 (mm) | 3.3 x 3.3 x 0.75 | 3.3 x 3.3 x 0.75 | - | |
配置 | 对称双通道 | 对称双通道 | - | |
VDS (V) | 80 | 80 | - | |
VGS (V) | ± 20 | ± 20 | - | |
RDS(on) (mΩ) @ 4.5 VGS | 典型值 | 18.5 | 22 | +16 % |
最大值 | 23.8 | 29 | +18 % | |
Qg (nC) @ 4.5 VGS | 典型值 | 7.1 | 6.0 | - |
FOM | - | 131 | 132 | +1 % |
ID (A) | 最大值 | 36 | 26 | +38 % |
RthJC (C/W) | 最大值 | 2.2 | 4.8 | +54 % |
SiZF4800LDT现可提供样品并已实现量产,供货周期为26周。
VISHAY简介
Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com。
The DNA of tech®是Vishay Intertechnology的商标。PowerPAIR和TrenchFET是 Siliconix公司的注册商标。
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