Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块,降低导通和开关损耗
时间:2024-03-04 10:03来源:
摘要:美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海—2024年2月29日—日前,威世科技VishayIntertechnology,Inc(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的TrenchIGBT技术制造,为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON)或低Eoff—降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。
半桥器件采用Trench IGBT技术,可选低VCE(ON)或低Eoff,适用于大电流逆变级
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年2月29日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造,为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。
这款工业级器件可用于各种应用的电源逆变器,包括铁路设备;发电、配电和储电系统;焊接设备;电机驱动器和机器人。为降低TIG焊机输出级导通损耗,VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S和VS-GT200TS065S在+125 °C,额定电流下,集电极至发射极电压仅为 ≤ 1.07 V,达到业内先进水平。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N适用于高频电源应用,开关损耗极低,+125 °C,额定电流下,Eoff仅为1.0 mJ。
模块符合RoHS标准,集电极至发射极电压为650 V,集电极连续电流为100 A至200 A,结到外壳的热阻极低。器件通过UL E78996认证,可直接安装散热片,EMI小,减少了对吸收电路的要求。
器件规格表:
产品编号 | VCES | IC | VCE(ON) | Eoff | 速度 | 封装 |
@ IC和 +125 °C | ||||||
VS-GT100TS065S | 650 V | 100 A | 1.02 V | 6.5 mJ | DC~1 kHz | INT-A-PAK |
VS-GT150TS065S | 650 V | 150 A | 1.05 V | 10.3 mJ | DC~1 kHz | INT-A-PAK |
VS-GT200TS065S | 650 V | 200 A | 1.07 V | 13.7 mJ | DC~1 kHz | INT-A-PAK |
VS-GT100TS065N | 650 V | 100 A | 2.12 V | 1.0 mJ | 8 kHz~30 kHz | INT-A-PAK |
VS-GT200TS065N | 650 V | 200 A | 2.13 V | 3.86 mJ | 8 kHz~30 kHz | INT-A-PAK |
新型IGBT功率模块现可提供样品并已实现量产,供货周期为15周。
VISHAY简介
Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com。
The DNA of tech® 是Vishay Intertechnology的注册商标。FRED Pt 是Vishay Intertechnology的注册商标。
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