加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）今日宣布推出两款采用 4 引脚 TO-247 封装（TO-247-4L）的新型 SuperGaN® 器件。新发布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分别具有 35 毫欧和 50 毫欧的导通电阻，并配有一个开尔文源极端子，以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能。新产品将采用Transphorm成熟的硅衬底氮化镓制程，该制造工艺不仅可靠性高，而且具有良好的成本效益，非常适合现有硅基生产线量产。目前，50 毫欧 TP65H050G4YS FET 已可供货，35 毫欧 TP65H035G4YS FET 正在出样，预计将于 2024 年一季度供货上市。  
· 业界领先的稳健性：+/- 20V 栅极阈值和 4 V 抗扰性。
· 更优的可设计性：减少器件周边所需电路。
· 更易于驱动：SuperGaN FET 能使用硅器件所常用的市售驱动器。
 
新发布的TO-247-4L 封装器件具有相同的稳健性、易设计性和易驱动性，其核心技术规格如下：

器件型号	Vds (V) 最小值	Rds(on)(mΩ) 型	Vth (V) 型	Id (25°C) (A) 最大值	封装
TP65H035G4YS	650	35	3.6	46.5	配有源极端子
TP65H050G4YS	650	50	4	35	配有源极端子

 
Transphorm 业务发展及市场营销高级副总裁 Philip Zuk 表示：“Transphorm 将继续拓展产品线，向市场推出多样化的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。无论客户有什么样的设计需求，Transphorm都能够帮助客户充分利用SuperGaN平台的性能优势。四引脚 TO-247 封装的SuperGaN为设计人员和客户带来提供极佳的灵活性——只需在硅或碳化硅器件的系统上做极少的设计修改（或者根本不需要进行任何设计修改），就能实现更低的电源系统损耗。Transphorm正在加速进入更高功率的应用领域，新推出的这两款器件是公司产品线的一个重要补充。”
 
供货情况
如需索取 35 毫欧和 50 毫欧 TO-247-4L FET 器件样品，请联系 Transphorm 销售团队：wwsales@transphormusa.com。点击以下链接，查阅每款器件的产品资料：
 
· TP65H035G4YS 产品数据表：https://www.transphormusa.com/en/document/data-sheet-tp65h035g4ys/
· TP65H050G4YS 产品数据表：https://www.transphormusa.com/en/document/data-sheet-tp65h050g4ys/
 
 
关于Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1,000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式，公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新使电力电子设备突破硅的局限性，以使效率超过99%、将功率密度提高50%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。请访问官网www.transphormusa.cn了解更多信息，欢迎关注微信公众号：TransphormGaN氮化镓