热议能效标准 能华半导体应邀参加电源学会标工委会议
时间:2023-12-08 14:02来源:
摘要:2023年11月17日中国电源学会标准化工作委员会在广东东莞举行2023年年会,来自西安交通大学、湖南大学、华中科技大学、台达、中兴、航嘉、奥海、高斯宝、瓦特源等知名高校、电源企业、检测单位专家教授共50人参加会议,会议由李民英秘书长主持,主任委员卓放教授进行主题发言。能华半导体副总裁章涛应邀做《基于宽禁带GAN器件的设计挑战》技术报告。
2023年11月17日中国电源学会标准化工作委员会在广东东莞举行2023年年会,来自西安交通大学、湖南大学、华中科技大学、台达、中兴、航嘉、奥海、高斯宝、瓦特源等知名高校、电源企业、检测单位专家教授共50人参加会议,会议由李民英秘书长主持,主任委员卓放教授进行主题发言。能华半导体副总裁章涛应邀做《基于宽禁带GAN器件的设计挑战》技术报告。
能华半导体应用副总章涛先生在会上首先介绍了能华半导体的三种技术平台,然后基于增强型 pGaN工艺的GaN和级联耗尽型GaN的工艺特点分析了这两种GaN的应用设计挑战并提出了相应的解决方案,例如增强型pGaN自身空穴浓度低的工艺特点导致其阈值电压较低,在系统应用中会带来器件关断可靠性问题,能华半导体利用十几年的技术沉淀和创新,在业界率先把增强型GaN的阈值电压提升到2V以上,有效解决了增强型GaN的这个应用问题;针对级联耗尽型GaN开通速度快、不易受控,容易引起系统EMC噪音变差和副边SR MOS应力过大等问题,能华推出了EMC改善型级联耗尽型GaN器件,能够有效降低系统的EMC噪音和副边SR MOS应力尖峰,能进一步降低客户的系统成本并提升系统的性能;针对级联耗尽型GAN不易并联的特点,能华推出的耗尽型直驱方案能够有效解决这个问题,从而可以实现系统应用的功率扩容和更大功率的GaN应用。总之,章涛先生在本次大会上的技术报告从GaN器件本身的工艺特点出发,介绍了市场上已经量产的不同GaN平台的应用设计挑战,并给出了能华半导体的解决方案。
江苏能华微电子科技发展有限公司由海外归国高科技人才创办于2010年,核心技术团队包括从外延生长、器件设计、工艺制程到封装测试各环节的专家,是一家专业设计、生产和销售以氮化镓(GaN)为代表的化合物半导体高性能晶圆、器件的高新技术企业。 作为国内最早建成以氮化镓功率器件为主的IDM公司,目前公司的产品线涵盖氮化镓外延片、氮化镓功率场效应管、氮化镓集成功率器件以及氮化镓芯片代工等。并且能华半导体是全球少数同时掌握增强型GaN技术、耗尽型GaN技术和耗尽型GaN直驱方案的半导体公司。
在会议的最后环节,航嘉在50多名行业大咖见证下,现场测试了两款消费电源的平均能效。其中100W快充平均能效92.1%,180W适配器平均能效93.2%,比即将推行的能效标准87%要求高出5个百分点以上,是真正意义上的90+节能电源。氮化镓GaN 能华半导体作为现场参会企业,也参与见证航嘉快充电源90+能效现场测试。能华半导体作为上游半导体企业积极助力电源企业减少产品发热损耗、提升转换效率;依托自身半导体企业优势研发能力,参与能效标准研制,提供多款能效原型样机测试数据,积极推动电源能效标准分级,能华半导体建言献策热议能效标准,为电源能效标准研制贡献自己力量。助力“双碳”在电源领域落地。
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