Ø 应用：
- 半导体测试设备（高速存储器测试设备、高速逻辑测试设备等）
- 探测卡
- 测量设备
 
Ø 特性：
- 业界最小的^[3]WSON4封装：1.45mm×2.0mm（典型值），厚度＝0.8mm（典型值）
- 改善高频信号的传输：当插入损耗（S21）＝–3dB时，f＝20GHz（典型值）
- 常开功能（1-Form-A）
 
Ø 主要规格：
（除非另有说明，Ta＝25℃）

器件型号				TLP3475W
封装	名称			WSON4
	尺寸（mm）			1.45Í2.0（典型值），厚度＝0.8（典型值）
绝对最大额定值	断态输出端电压VOFF（V）			60
	导通电流ION（A）			0.4
	导通电流（脉冲）IONP（A）			1.2
	工作温度Topr（℃）			–40至110
耦合电气特性	触发LED电流IFT（mA）		最大值	3.0
	导通电阻RON（Ω）		典型值	1.1
			最大值	1.5
电气特性	输出电容COFF（pF）		最大值	20
开关特性	导通时间tON（ms）	@RL＝200Ω、 VDD＝20V、 IF＝5mA	最大值	0.25
	关断时间tOFF（ms）			0.2
隔离特性	隔离电压BVS（Vrms）		最小值	300
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注：
[1] 当频段范围在几百兆赫兹至上万兆赫兹时。
[2] 信号通过输出MOSFET时功率衰减比（插入损耗）为–3dB的频段。
[3] 适用于光继电器。截至2023年10月的东芝调查。
 
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TLP3475W
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光继电器（MOSFET输出）
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关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。
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