瓦特源DVT实验室联合厦门亿亨举行设计负反馈环路研讨会
时间:2023-06-29 13:26来源:
摘要:2023年6月15日厦门亿亨电子有限公司联合深圳市瓦特源DVT实验室举行设计负反馈环路研讨会,瓦特源研究院院长罗勇进就技术标准规范发言,讲解DVT电源设计验证标准要求,负反馈环路波特图,增益裕度相位裕度等指标,分析次级431三端稳压器对环路设计影响,快环和满环反馈,企业研发工程技术人员20人参加。
2023年6月15日厦门亿亨电子有限公司联合深圳市瓦特源DVT实验室举行设计负反馈环路研讨会,瓦特源研究院院长罗勇进就技术标准规范发言,讲解DVT电源设计验证标准要求,负反馈环路波特图,增益裕度相位裕度等指标,分析次级431三端稳压器对环路设计影响,快环和满环反馈,企业研发工程技术人员20人参加。
开关电源适配器,PD快充储能电源无故炸机死机,重启等故障,电源研发设计负反馈环路不稳定导致。DVT设计验证针对负反馈环路的心脏级指标测试,含相位裕度、增益裕度、穿越频率,三个指标定义如下:1相位裕度是指:增益降到0dB时所对应的相位;2增益裕度是指:相位为0deg时所对应的增益大小;3 穿越频率是指:增益为0dB时所对应的频率值。
瓦特源研究院是电源的“专科医院”,拥有价值3000万实验室,60人工程师团队,首家第三方DVT实验室;DVT是Design Verification Test简称,设计验证测试。电源工厂不可缺少一个环节,提前暴露改善设计缺陷。含能效,电性能,负反馈稳定,噪音舒适性,零件降额裕度,环境可靠性,PCB工艺,电容寿命,安规EMC等9大维度150页测试报告。DVT负反馈环路是开关电源稳定性的指标,含相位裕度、增益裕度、穿越频率,三个指标定义如下:
在国产器件替代时代大背景下,确保产品可靠性同时,设计一款性价比高的电源,具有产品竞争力;降额设计标准是使电子元器件的工作应力适当低于其规定的额定值,从而达到降低基本故障率。器件余量、裕度标准指导工程师成本优化,行业首份被CNAS权威认可器件降额标准,为国产器件替代参数验证提供权威依据。
DVT测试降低电压炸机风险,会议对电源对器件降额选型进行分析,0电压导通是电源重要设计指标,标准要求对管导致死区时间少于0us,交越时间是导致交替工作MOS炸机重要参数,交越时间过长损耗增加,会影响电源整机转换效率,寄生参数会影响该指标。DVT设计验证会在被测电源产品不同交流输入和满载,半载,轻载,开机,冲击等条件测试验证0电压导通。
中国电源学会标委会副秘书长,标准第一起草人罗勇进
厦门亿亨电子有限公司成立于2019年初,坐落于厦门火炬高新区翔虹路31号,占地5000平方米,集研发与制造于一体,是一家专业从事AC-DC开关电源、DC-DC模块等高性能电源产品的设计开发、生产销售、技术支持的高科技企业。公司在开关电源方面拥有十分丰富的开发经验,竭诚为客户提供理想的供电方案和产品选型。公司实施ISO9001质量管理体系,以安全、可靠、高效、可持续的方式管理生产。主要管理干部拥有电子行业二十年以上的经营管理经验。研发团队拥有多位从事电源设计与开发的资深工程师,充分保证公司产品的设计质量。产品设计符合CCC、UL、CE、GS、KC、PSE、SAA、BS、ETL等安规认证标准。
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