中国上海，2023年5月18日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保护电路。该产品于今日开始支持批量出货。

锂离子电池组依靠高度稳定的保护电路来减少充放电时产生的热量，以提高安全性。这些电路必须具有低功耗和高密度封装的特性，同时要求MOSFET小巧纤薄，且具有更低的导通电阻。

SSM14N956L采用东芝专用的微加工工艺，已经发布的SSM10N954L也采用该技术。凭借业界领先[1]的低导通电阻特性实现了低功耗，而业界领先[1]的低栅源漏电流特性又保证了低待机功耗。这些特性有助于延长电池的使用时间。此外，新产品还采用了一种新型的小巧纤薄的封装TCSPED-302701（2.74mm×3.0mm，厚度＝0.085mm（典型值）。

东芝将继续开发用于锂离子电池组供电设备中的保护电路的MOSFET产品。

Ø 应用

- 家用电器采用锂离子电池组的消费类电子产品以及办公和个人设备，包括智能手机、平板电脑、充电宝、可穿戴设备、游戏控制器、电动牙刷、迷你数码相机、数码单反相机等。

Ø 特性

- 业界领先的[1]低导通电阻：RSS(ON)＝1.1mΩ（典型值）@VGS＝3.8V

- 业界领先的[1]低栅源漏电流：IGSS＝±1μA（最大值）@VGS＝±8V

- 小型化超薄TCSPED-302701封装：2.74mm×3.0mm，厚度＝0.085mm（典型值）

- 共漏极结构，可方便地用于电池保护电路

Ø 主要规格

（除非另有说明，Ta＝25℃）

器件型号 SSM14N956L SSM10N954L[2]

配置 N沟道共漏极

绝对最大

额定值 源极-源极电压VSSS（V） 12 栅极-源极电压VGSS（V） ±8 源极电流（DC）IS（A） 20.0 13.5

电气特性 栅源漏电流IGSS 最大值（μA） @VGS＝±8V ±1 源极-源极导通电阻RSS(ON) 典型值（mΩ） @VGS＝4.5V 1.00 2.1 @VGS＝3.8V 1.10 2.2 @VGS＝3.1V 1.25 2.4 @VGS＝2.5V 1.60 3.1

封装 名称 TCSPED-302701 TCSPAC-153001 尺寸典型值（mm） 2.74×3， 厚度＝0.085 1.49×2.98， 厚度＝0.11

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注：

[1] 截至2023年5月的东芝调查，与相同额定值的产品进行比较。

[2] 已发布产品。

如需了解有关新产品的更多信息，请访问以下网址：

SSM14N956L https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/detail.SSM14N956L.html

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SSM14N956L https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.SSM14N956L.html

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关于东芝电子元件及存储装置株式会社

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