意法半导体发布 MasterGaN 参考设计并演示 250W 无散热器谐振变换器
时间:2021-05-18 11:43来源:21 Dianyuan
摘要:EVLMG1-250WLLC参考设计是一个250W谐振变换器,电路板尺寸是100mmx60mm,最高组件高度是35mm。功率芯片是集成了一个STDRIVE半桥栅极驱动器以及两颗650V常关的GaN晶体管的MasterGaN1。其具有匹配的时序参数,导通电阻(Rds(on))150mΩ,最大额定电流10A,逻辑输入兼容33V至15V信号。
中国,2021年5月18日——意法半导体发布了MasterGaN的首个参考设计,展示了新款高集成度器件如何提高功率密度、能效,简化产品设计,缩短上市时间。
EVLMG1-250WLLC 参考设计是一个250W谐振变换器,电路板尺寸是100mm x 60mm,最高组件高度是35mm。功率芯片是集成了一个STDRIVE半桥栅极驱动器以及两颗650V常关的GaN晶体管的MasterGaN1。其具有匹配的时序参数,导通电阻(Rds(on)) 150mΩ,最大额定电流10A,逻辑输入兼容3.3V至15V信号。
MasterGaN1适用于最高400W的AC/DC电源、DC/DC变换器和DC/AC逆变器应用中的高效软开关拓扑,包括谐振变换器、有源钳位反激或正激变换器,以及无桥图腾柱PFC(功率因数校正)。
利用GaN功率晶体管的高能效,参考设计一次侧采用无散热器设计。此外,GaN晶体管的开关性能出色,工作频率高于普通硅基MOSFET解决方案,因此可以使用较小的电磁元件和电容,实现更高的功率密度和更低的物料清单成本。
EVLMG1-250WLLC是一个标称400V输入的电源参考设计,提供一个24V/10A输出端口,最高能效超过94%。得益于MasterGaN内部集成的安全功能,变换器输出有短路和过流保护功能。还具有欠压保护和输入电压监测功能,电压检测功能可在多个DC/DC变换器中实现上电排序,防止电动机低压起动。
意法半导体的MasterGaN系列产品由引脚兼容的集成半桥产品组成,包括对称和非对称配置,采用9mm x 9mm的薄型GQFN封装。封装内部电路额定电压最高650V,高低压焊盘之间的爬电距离超过2mm。MasterGaN模块适用于各种额定功率,工程师略做硬件修改,即可扩展升级系统设计。
EVLMG1-250WLLC 现在可从st.com和代理商处购买。
详情访问www.st.com/gatedrivers 。
关于意法半导体
意法半导体拥有46,000名半导体技术的创造者和创新者,掌握半导体供应链和最先进的制造设备。作为一家独立的半导体设备制造商,意法半导体与十万余客户、数千名合作伙伴一起研发产品和解决方案,共同构建生态系统,帮助他们更好地应对各种挑战和新机遇,满足世界对可持续发展的更高需求。意法半导体的技术让人们的出行更智能,电力和能源管理更高效,物联网和5G技术应用更广泛。详情请浏览意法半导体公司网站:www.st.com。
EVLMG1-250WLLC 参考设计是一个250W谐振变换器,电路板尺寸是100mm x 60mm,最高组件高度是35mm。功率芯片是集成了一个STDRIVE半桥栅极驱动器以及两颗650V常关的GaN晶体管的MasterGaN1。其具有匹配的时序参数,导通电阻(Rds(on)) 150mΩ,最大额定电流10A,逻辑输入兼容3.3V至15V信号。
MasterGaN1适用于最高400W的AC/DC电源、DC/DC变换器和DC/AC逆变器应用中的高效软开关拓扑,包括谐振变换器、有源钳位反激或正激变换器,以及无桥图腾柱PFC(功率因数校正)。
利用GaN功率晶体管的高能效,参考设计一次侧采用无散热器设计。此外,GaN晶体管的开关性能出色,工作频率高于普通硅基MOSFET解决方案,因此可以使用较小的电磁元件和电容,实现更高的功率密度和更低的物料清单成本。
EVLMG1-250WLLC是一个标称400V输入的电源参考设计,提供一个24V/10A输出端口,最高能效超过94%。得益于MasterGaN内部集成的安全功能,变换器输出有短路和过流保护功能。还具有欠压保护和输入电压监测功能,电压检测功能可在多个DC/DC变换器中实现上电排序,防止电动机低压起动。
意法半导体的MasterGaN系列产品由引脚兼容的集成半桥产品组成,包括对称和非对称配置,采用9mm x 9mm的薄型GQFN封装。封装内部电路额定电压最高650V,高低压焊盘之间的爬电距离超过2mm。MasterGaN模块适用于各种额定功率,工程师略做硬件修改,即可扩展升级系统设计。
EVLMG1-250WLLC 现在可从st.com和代理商处购买。
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