TI 发布首款汽车级 GaN FET 功率密度加倍、具有集成驱动器和保护功能

时间:2020-11-16 13:53来源:21 Dianyuan

摘要:2020年11月10日,德州仪器(TI)推出了面向汽车和工业应用的下一代650V和600V氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)。与现有的硅基或碳化硅解决方案相比,我们新推出的650-V汽车GaNFET(LMG3525R030-Q1)带来了多项改进。

随着半导体产业的飞速发展,第三代半导体材料氮化镓不仅具备高压、高频、高效、耐高温、抗辐射能力强等优越性能,更被广泛应用于各行各业。GaN技术是一种具备优越的晶体特性的使能技术,与传统的硅基MOSFET相比具有惊人的技术优势,不仅可以降低损耗又简化了冗杂的设计过程,更减小了整个系统的尺寸和重量,目前在全自动驾驶汽车、机器人、无人机、工业等领域的需求大幅度上升。
 
 
 
2020年11月10日,德州仪器(TI)推出了面向汽车和工业应用的下一代650V和600V氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)与现有的硅基或碳化硅解决方案相比,我们新推出的 650-V汽车GaN FET(LMG3525R030-Q1)带来了多项改进。LMG3525R030-Q1可将电动汽车(EV)车载充电器的尺寸减少一半、采用2.2-Mhz集成栅极驱动器可将电动汽车充电器中的磁性元件的尺寸缩小59%、在这个时间碎片化的时代LMG3525R030-Q1不仅提高了系统长期稳定性更大大缩短了充电时间,继而提升了汽车的驾驶里程。
 
更快的充电时间、更高的可靠性、更低的成本这无疑为汽车解决方案提供了很大的优势。而另外一款600-V工业级GaN FET(LMG3425R030)采用了TI最快的集成栅极驱动器,集成化的设计、高速保护和数字温度报告功能可对电源单元(PSU)进行有源电源管理和热监测,可帮助工程师提供两倍的功率密度并能实现99%的效率,在成本方面极具竞争力。TI根据客户的要求可以提供所需要的评估板和用户指南,更多信息请登录
www.ti.com.cn/LMG3425R030-pr-cnwww.ti.com.cn/LMG3525R030-Q1-pr-cn查看。
 
 
 
在媒体沟通会上,德州仪器高压电源应用产品业务部氮化镓功率器件产品线经理Steve Tom先生不仅详细介绍了新产品在研发和应用中使用的领先技术和产品独特的自身优势,也和我们分享了TI关于氮化镓的未来趋势和发展空间、TI在行业中的差异化优势、未来布局等相关热点话题。关于“对比市场上的同类产品有什么优势?”的提问,“除了之前提到的关于成本、供应链、可靠性之外,最大的优势来自于集成,因为集成可以让芯片变得非常智能,可以通过现在FET所处的环境、电流和温度进行相应的措施,这不仅可以让可靠性更提高一个等级,并且可以使得电源设计者省去很多设计所需要的步骤。所以,我们的产品与市场同类产品相比最大的优势是集成了驱动和保护,使得我们是一个更智能的产品,而不仅仅是一个GaN FET。”Steve Tom回复道。
 
针对客户需求和市场需求两方面,TI力求不断创新。电源管理领域也愈加追求自我提升、自我突破。同时在功率密度、低EMI、低静态电流、低噪声高精确度和隔离领域中不甘现状勇于挑战,能够提供满足不同场景的多种解决方案。
 
TI在研发设计中一直遵循可靠性、低成本、实用性三大原则,那么我们有理由相信在未来的汽车设计和工业领域中,TI定会砥砺前行,做出一番成绩。
 

关于德州仪器(TI)
 
德州仪器(TI)(纳斯达克股票代码:TXN)是一家全球化的半导体公司,致力于设计、制造、测试和销售模拟和嵌入式处理芯片,用于工业、汽车、个人电子产品、通信设备和企业系统等市场。我们致力于通过半导体技术让电子产品更经济实用,创造一个更美好的世界。如今,每一代创新都建立在上一代创新的基础之上,使我们的技术变得更小巧、更快速、更可靠、更实惠,从而实现半导体在电子产品领域的广泛应用,这就是工程的进步。这正是我们数十年来乃至现在一直在做的事。 欲了解更多信息,请访问公司网站
www.ti.com.cn

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