将 ADuM4135 栅极驱动器与 Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT 模块配合使用
时间:2019-08-13 16:36来源:21Dianyuan
摘要:本应用笔记所述设计中的APTGT75A120IGBT是快速沟槽器件,采用MicrosemiCorporation®专有的视场光阑IGBT技术。该IGBT器件还具有低拖尾电流、高达20kHz的开关频率,以及由于对称设计,具有低杂散电感的软恢复并联二极管。选定IGBT模块的高集成度可在高频率下提供最优性能,并具有较低的结至外壳热阻。
本文作者:Martin Murnane ADI公司
测试结果
高电流测试
简介
绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)是适用于高压应用的经济高效型解决方案,如车载充电器、非车载充电器、DC-DC快速充电器、开关模式电源(SMPS)应用。开关频率范围:直流至100 kHz。IGBT可以是单一器件,甚至是半桥器件,如为图1所示设计选择的。
本应用笔记所述设计中的APTGT75A120 IGBT是快速沟槽器件,采用Microsemi Corporation®专有的视场光阑IGBT技术。该IGBT器件还具有低拖尾电流、高达20 kHz的开关频率,以及由于对称设计,具有低杂散电感的软恢复并联二极管。选定IGBT模块的高集成度可在高频率下提供最优性能,并具有较低的结至外壳热阻。
使用ADI公司的栅极驱动技术驱动IGBT。ADuM4135栅极驱动器是一款单通道器件,在>25 V的工作电压下(VDD至VSS),典型驱动能力为7 A源电流和灌电流。该器件具有最小100 kV/μs的共模瞬变抗扰度(CMTI)。ADuM4135可以提供高达30 V的正向电源,因此,±15 V电源足以满足此应用。
图1.ADuM4135栅极驱动器模块
测试设置
电气设置
系统测试电路的电气设置如图2所示。直流电压施加于半桥两端的输入,900 µF (C1)的解耦电容添加到输入级。输出级为200 µH (L1)和50 µF (C2)的电感电容(LC)滤波器级,对输出进行滤波,传送到2 Ω至30 Ω的负载(R1)。表1详述了测试设置功率器件。U1是用于HV+和HV−的直流电源,T1和T2是单个IGBT模块。
完整电气设置如图3所示,表2详细列出了测试中使用的设备。
图2.系统测试电路的电气设置
表1.测试设置功率器件
表2.完整设置设备
设备 | 值 |
IGBT模块,T1,T2 | APTGT75A120T1G1 |
U1 | 200 V至900 V |
电容C1 | 900 μF |
电感L1 | 200 μH |
电容C2 | 50 μF |
负载电阻R1 | 2 Ω至30 Ω |
设备 | 制造厂商 | 产品型号 |
示波器 | Agilent | DSO-X 3024A,200 MHz |
直流电源 | Delta Elektronika | SN660-AR-11(两个串行) |
栅极驱动器板 | WATT&WELL | ADUM4135-WW-MS-02 SN001 |
波形发生器 | Agilent | 33522A |
电流探针 | Hioki | 3275 |
电流探针 | Hioki | 3276 |
无源电压探针 | Keysight | N2873A,500 MHz |
无源高电压探针 | Elditest | GE3421,100 MHz |
高压差分探针 | Tektronix | P5200 |
高压差分探针 | Testec | TT-SI 9110 |
热摄像头 | Optris | PI 160 |
图3.栅极驱动器配电板测试的连接图
测试结果
无负载测试
在无负载测试设置中,在模块输出端汲取低输出电流。在此应用中,使用一个30 Ω的电阻。
表3显示无负载的电气测试设置的重要元件,且负载内的电流低。表4显示在模块上观察到的温度。表3和表4总结了所观察到的结果。图5至图10显示各种电压和开关频率上的开关波形的测试结果。
如表3中所示,测试1和测试2在600 V电压下执行。测试1在10 kHz开关频率下执行,测试2在20 kHz开关频率下执行。测试3在900 V电压下执行,开关频率为10 kHz。
图4显示无负载测试的电气设置。
图4.无负载测试的电气设置
表3.无负载测试,对应插图
测试 | 直流电压 VDC1,(V) |
开关频率 fSW,(kHz) |
占空比(%) | IIN2 (A) | 参考图 |
1 | 600 | 10 | 50 | 0.007 | 图5和图6 |
2 | 600 | 20 | 50 | 0.013 | 图7和图8 |
3 | 900 | 10 | 50 | 0.009 | 图9和图10 |
1 VDC是HV+和HV−电压。
2 IIN表示通过U1的输入电流。
表4.无负载测试,温度总结1
测试 | VDC (V) | fSW (kHz) |
温度 | DC-DC电源温度 | 栅极驱动器温度 | |||
环境 (°C) |
散热器 (°C) |
高边 (°C)2 |
低边 (°C)2 |
高边 (°C) |
低边 (°C) |
|||
1 | 600 | 10 | 26 | 30.8 | 34 | 34 | 38.2 | 37.6 |
2 | 600 | 20 | 26 | 31 | 35 | 35 | 39.5 | 39.4 |
3 | 900 | 10 | 26 | 31 | 34.2 | 34.2 | 38.6 | 37.7 |
1 所有温度都通过热摄像头记录。
2 从变压器测得。
开关IGBT的性能图
此部分测试结果显示不同目标电压下的开关波形,其中fSW = 10 kHz和20 kHz。VDS是漏极-源极电压,VGS是栅极-源极电压。
图5.VDC = 600 V,fSW = 10 kHz,无负载
|
图8.VDC = 600 V,fSW = 20 kHz,无负载
|
图6.VDC = 600 V,fSW = 10 kHz,无负载 |
图9.VDC = 900 V,fSW = 10 kHz,无负载
|
图7.VDC = 600 V,fSW = 20 kHz,无负载 | 图10.VDC = 900 V,fSW = 10 kHz,无负载 |
负载测试
测试配置类似于图2所示的测试设置。表5总结了观察到的结果,图11至图16显示各种电压、频率和负载下的测试性能和结果。
测试4在200 V、10 kHz开关频率下执行,占空比为25%。测试5在600 V、10 kHz开关频率下执行,占空比为25%。测试6在900 V、10 kHz开关频率下执行,占空比为25%。
表5.负载测试
测试 | VDC (V) | fSW (kHz) |
占空比 (%) |
IOUT1 (A) |
VOUT2 (V) |
POUT3 (W) |
IIN (A) | 参考图 |
4 | 200 | 10 | 25 | 1.8 | 49.3 | 90.2 | 0.55 | 图11和图13 |
5 | 600 | 10 | 25 | 5.4 | 146.5 | 791.1 | 1.62 | 图12和图14 |
6 | 900 | 10 | 25 | 7.8 | 214 | 1669.2 | 2.5 | 图15和图16 |
1 IOUT是负载电阻R1中的输出电流。
2 VOUT是R1两端的输出电压。
3 POUT是输出功率(IOUT × VOUT)。
开关 IGBT 的性能图和无负载测试
此部分测试结果显示fSW = 10 kHz和20 kHz的不同目标电压下的开关波形。
图11.VDC = 200 V,fSW = 10 kHz, POUT = 90.2 W |
图14.VDC = 600 V,fSW = 10 kHz,
POUT = 791.1 W |
图12.VDC = 600 V,fSW = 10 kHz,
POUT = 791.1 W |
图15.VDC = 900 V,fSW = 10 kHz,
POUT 1669.2 W |
图13.VDC = 200 V,fSW = 10 kHz,
POUT = 90.2 W
|
图16.VDC = 900 V,fSW = 10 kHz, POUT 1669.2 W |
高电流测试
测试配置类似于图3中所示的物理设置。表6总结了观察到的结果,图17至图20显示各种电压、频率和负载下的测试性能和结果。
输出负载电阻视各个测试而异,如表1所示,其中2 Ω到30 Ω负载用于改变电流。测量VOUT,也就是R1两端的电压。
测试7在300 V、10 kHz开关频率下执行,占空比为25%。测试8在400 V、10 kHz开关频率下执行,占空比为25%。
表6.高电流测试
测试 | VDC (V) | fSW (kHz) |
占空比(%) | IOUT (A) |
VOUT (V) |
PIN1 (W) | IIN (A) | 参考图 |
7 | 300 | 10 | 25 | 19.6 | 68.7 | 1346.3 | 5 | 图17和图19 |
8 | 400 | 10 | 25 | 25.8 | 91.7 | 2365.9 | 6.6 | 图18和图20 |
1 PIN是输入电源(IIN × VIN),其中VIN是直流电源电压。
开关IGBT的性能图和负载测试
此部分测试结果显示fSW = 10 kHz和20 kHz的不同目标电压下的开关波形。
图17.VDC = 300 V,fSW = 10 kHz,
POUT = 1346.3 W |
图19.VDC = 300 V,fSW = 10 kHz, POUT = 1346.3 W |
图18.VDC = 400 V,fSW = 10 kHz,
POUT = 2365.9 W |
图20.VDC = 400 V,fSW = 10 kHz, POUT = 2365.9 W |
去饱和测试
系统测试电路的电气设置如图21所示。直流电压施加于半桥两端的输入,900 µF的解耦电容添加到输入级。此设置用于测试去饱和检测。在此应用中,最大IC = 150 A,其中IC是通过T1和T2的电流。
高端开关IGBT (T1)被83 μH的电感旁路,T1开关必须关闭。
低端开关IGBT (T2)每500 ms被驱动50 μs。
表7详细列出了去饱和测试设置的功率器件。
图22显示电感L1中电流135 A时的开关动作,图23显示电感L1中电流139 A时的去饱和检测。
表7.功率器件去饱和测试的测试设置
设备 | 值 |
U1 | 0 V至80 V |
C1 | 900 μF |
L1 | 83 μH |
图21.系统测试电路的电气设置
图22.VDC < 68 V,fSW = 2 Hz,
占空比 = 0.01%
|
图23.VDC > 68 V,fSW = 2 Hz, 占空比 = 0.01% |
应用原理图
图24.ADuM4135栅极驱动器板原理图
结论
ADuM4135栅极驱动器具有优异的电流驱动能力,合适的电源范围,还有100 kV/µs的强大CMTI能力,在驱动IGBT时提供优良的性能。
本应用笔记中的测试结果提供的数据表明,ADuM4135评估板是驱动IGBT的高压应用的解决方案。
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