富士通电子将自 9 月推出业内最高密度 8Mbit ReRAM 产品
时间:2019-08-08 16:17来源:21Dianyuan
摘要:拥有业界最低读取电流的内存适用于小型穿戴装置
上海,2019年8月8日 – 富士通电子元器件(上海)有限公司今日宣布,推出业内最高密度8Mbit ReRAM(注1)——“MB85AS8MT”,此款ReRAM量产产品由富士通与松下电器半导体(Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.)(注2)合作开发,将于今年9月开始供货。MB85AS8MT是采用SPI接口并与带电可擦可编程只读存储器 (EEPROM) 兼容的非挥发性内存,能在1.6至3.6伏特之间的广泛电压范围运作。其一大特色是极低的平均电流,在5MHz工作频率下仅需0.15mA读取数据,这让需透过电池供电且经常读取数据的装置能达到最低功耗。MB85AS8MT采用极小的晶圆级封装 (WL-CSP),所以非常适用于需电池供电的小型穿戴装置,包括助听器、智能手表及智能手环等。
富士通电子提供各种铁电随机存取内存 (FRAM)(注3) 产品,能提供比EEPROM与闪存更高的耐写次数与更快的写入速度。富士通电子的FRAM产品以最佳的非挥发性内存闻名,尤其是需要非常频繁记录及保护写入的数据以避免突然断电时导致数据遗失。但同时,也有些客户提出需要较低电流读取运作的内存,因为他们的应用仅需少量的写入次数,却极频繁地读取数据。
为满足此需求,富士通电子特别开发出新型态的非挥发性ReRAM内存“MB85AS8MT”,兼具“高密度位存取”及“低读取电流”的特色。其为全球最高密度的8Mbit ReRAM量产产品,采用SPI接口、支持1.6至3.6伏特的广泛电压,且包含指令与时序在内的电气规格都兼容于EEPROM产品。
“MB85AS8MT”最大的特色在于即使拥有超高密度,仍能达到极小的平均读取电流。例如,在5MHz的工作频率下,平均读取电流为0.15mA,仅相当于高密度EEPROM器件所需电流的5%。
因此,在需要透过电池供电的产品中,像是特定程序读取或设定数据读取这类需要频繁读取数据的应用中,透过此内存的超低读取电流特性,该产品即能大幅降低电池的耗电量。
除了提供与EEPROM兼容的8针脚小外形封装 (SOP) 外,还可提供2mm x 3mm的超小型11针脚WL-CSP,适用于装设在小型穿戴装置中。
高密度内存与低功耗的MB85AS8MT采用极小封装规格,成为最适合用于需以电池供电的小型穿戴装置的内存,例如助听器、智能手表及智能手环等。
富士通电子将持续致力研发最佳内存,支持客户对各种特殊应用的需求。
关键规格
• 器件型号:MB85AS8MT
• 内存密度 (组态):8 Mbit (1M字符x 8位)
• 界面:序列外围接口 (SPI)
• 运作电压:1.6V至3.6V
• 运作频率:最高10MHz
• 低功耗:读取运作电流0.15mA (5MHz下取平均值)
• 写入周期时间:10ms
• 分页容量:256 bytes
• 保证写入周期:100万次
• 保证读取周期:无限
• 数据保留:10年 (最高耐热达85°C)
• 封装:11-pin WL-CSP与8-pin SOP
注:
1. 可变电阻式随机存取内存 (ReRAM):为非挥发性内存,藉由电压脉冲于金属氧化物薄膜,产生的大幅度电阻变化以记录1和0。其制程化繁为简,由两电极间简易金属氧化物架构组成,使其同时拥有低功耗和高写入速度的优点。
2. 松下电器半导体有限公司Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.:
〒 617-8520 日本京都府长冈京市神足焼町1番地
网址:https://www.panasonic.com/jp/company/pscs/en.html
3. 铁电随机存储器 (FRAM):FRAM是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存数据的内存,即便在没有电源的情况下仍可保存数据。FRAM结合了ROM和RAM的特性,并拥有高速写入数据、低功耗和高速读写周期的优点。富士通自1999年开始生产FRAM,亦称为FeRAM。
关于富士通电子元器件(上海)有限公司
富士通电子元器件(上海)有限公司是富士通在中国的半导体业务总部,于2003年8月成立,在北京、深圳、大连等地均设有分公司,负责统筹富士通在中国半导体的销售业务。
富士通电子元器件(上海)有限公司的主要销售产品包括 Custom SoCs (ASICs),代工服务,专用标准产品(ASSPs),铁电随机存储器,继电器,GaN(氮化镓),MCU和电源功率器件等,它们是以独立产品及配套解决方案的形式提供给客户,并广泛应用于高性能光通信网络设备、手持移动终端、影像设备、汽车、工业控制、家电、穿戴式设备、医疗电子、电力电表、安防等领域。欲了解更多信息,请访问网站:http://www.fujitsu.com/cn/fes/
文中提及的公司名称和产品名称是其所有者的商标或者注册商标。该新闻稿中的信息在发布时准确无误,可能随时发生变化,恕不先行通知。
MB85AS8MT采用极小的晶圆级封装 (WL-CSP)
MB85AS8MT的三大特色与相关应用
富士通电子提供各种铁电随机存取内存 (FRAM)(注3) 产品,能提供比EEPROM与闪存更高的耐写次数与更快的写入速度。富士通电子的FRAM产品以最佳的非挥发性内存闻名,尤其是需要非常频繁记录及保护写入的数据以避免突然断电时导致数据遗失。但同时,也有些客户提出需要较低电流读取运作的内存,因为他们的应用仅需少量的写入次数,却极频繁地读取数据。
为满足此需求,富士通电子特别开发出新型态的非挥发性ReRAM内存“MB85AS8MT”,兼具“高密度位存取”及“低读取电流”的特色。其为全球最高密度的8Mbit ReRAM量产产品,采用SPI接口、支持1.6至3.6伏特的广泛电压,且包含指令与时序在内的电气规格都兼容于EEPROM产品。
“MB85AS8MT”最大的特色在于即使拥有超高密度,仍能达到极小的平均读取电流。例如,在5MHz的工作频率下,平均读取电流为0.15mA,仅相当于高密度EEPROM器件所需电流的5%。
因此,在需要透过电池供电的产品中,像是特定程序读取或设定数据读取这类需要频繁读取数据的应用中,透过此内存的超低读取电流特性,该产品即能大幅降低电池的耗电量。
在5MHz的工作频率下,
MB85AS8MT的平均读取电流仅为高密度EEPROM器件的5%
MB85AS8MT的平均读取电流仅为高密度EEPROM器件的5%
除了提供与EEPROM兼容的8针脚小外形封装 (SOP) 外,还可提供2mm x 3mm的超小型11针脚WL-CSP,适用于装设在小型穿戴装置中。
MB85AS8MT也可提供2mm x 3mm的超小型11针脚WL-CSP
高密度内存与低功耗的MB85AS8MT采用极小封装规格,成为最适合用于需以电池供电的小型穿戴装置的内存,例如助听器、智能手表及智能手环等。
富士通电子将持续致力研发最佳内存,支持客户对各种特殊应用的需求。
关键规格
• 器件型号:MB85AS8MT
• 内存密度 (组态):8 Mbit (1M字符x 8位)
• 界面:序列外围接口 (SPI)
• 运作电压:1.6V至3.6V
• 运作频率:最高10MHz
• 低功耗:读取运作电流0.15mA (5MHz下取平均值)
• 写入周期时间:10ms
• 分页容量:256 bytes
• 保证写入周期:100万次
• 保证读取周期:无限
• 数据保留:10年 (最高耐热达85°C)
• 封装:11-pin WL-CSP与8-pin SOP
注:
1. 可变电阻式随机存取内存 (ReRAM):为非挥发性内存,藉由电压脉冲于金属氧化物薄膜,产生的大幅度电阻变化以记录1和0。其制程化繁为简,由两电极间简易金属氧化物架构组成,使其同时拥有低功耗和高写入速度的优点。
2. 松下电器半导体有限公司Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.:
〒 617-8520 日本京都府长冈京市神足焼町1番地
网址:https://www.panasonic.com/jp/company/pscs/en.html
3. 铁电随机存储器 (FRAM):FRAM是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存数据的内存,即便在没有电源的情况下仍可保存数据。FRAM结合了ROM和RAM的特性,并拥有高速写入数据、低功耗和高速读写周期的优点。富士通自1999年开始生产FRAM,亦称为FeRAM。
关于富士通电子元器件(上海)有限公司
富士通电子元器件(上海)有限公司是富士通在中国的半导体业务总部,于2003年8月成立,在北京、深圳、大连等地均设有分公司,负责统筹富士通在中国半导体的销售业务。
富士通电子元器件(上海)有限公司的主要销售产品包括 Custom SoCs (ASICs),代工服务,专用标准产品(ASSPs),铁电随机存储器,继电器,GaN(氮化镓),MCU和电源功率器件等,它们是以独立产品及配套解决方案的形式提供给客户,并广泛应用于高性能光通信网络设备、手持移动终端、影像设备、汽车、工业控制、家电、穿戴式设备、医疗电子、电力电表、安防等领域。欲了解更多信息,请访问网站:http://www.fujitsu.com/cn/fes/
文中提及的公司名称和产品名称是其所有者的商标或者注册商标。该新闻稿中的信息在发布时准确无误,可能随时发生变化,恕不先行通知。
免责声明:本文若是转载新闻稿,转载此文目的是在于传递更多的信息,版权归原作者所有。文章所用文字、图片、视频等素材如涉及作品版权问题,请联系本网编辑予以删除。
我要投稿
近期活动
- 安森美汽车&能源基础设施白皮书下载活动时间:2024年04月01日 - 2024年10月31日[立即参与]
- 2023年安森美(onsemi)在线答题活动时间:2023年09月01日 - 2023年09月30日[查看回顾]
- 2023年安森美(onsemi)在线答题活动时间:2023年08月01日 - 2023年08月31日[查看回顾]
- 【在线答题活动】PI 智能家居热门产品,带您领略科技智慧家庭时间:2023年06月15日 - 2023年07月15日[查看回顾]
- 2023年安森美(onsemi)在线答题活动时间:2023年06月01日 - 2023年06月30日[查看回顾]
分类排行榜
- 汽车电子电源行业可靠性要求,你了解多少?
- 内置可编程模拟功能的新型 Renesas Synergy™ 低功耗 S1JA 微控制器
- Vishay 推出高集成度且符合 IrDA® 标准的红外收发器模块
- ROHM 发布全新车载升降压电源芯片组
- 艾迈斯半导体推出行业超薄的接近/颜色传感器模块,助力实现无边框智能手机设计
- 艾迈斯半导体与 Qualcomm Technologies 集中工程优势开发适用于手机 3D 应用的主动式立体视觉解决方案
- 维谛技术(Vertiv)同时亮相南北两大高端峰会,精彩亮点不容错过
- 缤特力推出全新商务系列耳机 助力解决开放式办公的噪音难题
- CISSOID 和泰科天润(GPT)达成战略合作协议,携手推动碳化硅功率器件的广泛应用
- 瑞萨电子推出 R-Car E3 SoC,为汽车大显示屏仪表盘带来高端3D 图形处理性能
编辑推荐
小型化和稳定性如何兼得?ROHM 推出超小型高输出线性 LED 驱动器 IC,为插座型 LED 驱动 IC 装上一颗强有力的 “心脏”
众所周知,LED的驱动IC担负着在输入电压不稳定的情况下,为LED提供恒定的电流,并控制恒定(可调)亮度的作用。无论是室内照明,还是车载应用,都肩负着极为重要的使命。
- 关于反激电源效率的一个疑问
时间:2022-07-12 浏览量:10174
- 面对热拔插阐述的瞬间大电流怎么解决
时间:2022-07-11 浏览量:8933
- PFC电路对N线进行电压采样的目的是什么
时间:2022-07-08 浏览量:9576
- RCD中的C对反激稳定性有何影响
时间:2022-07-07 浏览量:7190
- 36W单反激 传导7~10M 热机5分钟后超标 不知道哪里出了问题
时间:2022-07-07 浏览量:5966
- PFC电感计算
时间:2022-07-06 浏览量:4177
- 多相同步BUCK
时间:2010-10-03 浏览量:37865
- 大家来讨论 系列之二:开机浪涌电流究竟多大?
时间:2016-01-12 浏览量:43160
- 目前世界超NB的65W适配器
时间:2016-09-28 浏览量:60023
- 精讲双管正激电源
时间:2016-11-25 浏览量:128104
- 利用ANSYS Maxwell深入探究软磁体之----电感变压器
时间:2016-09-20 浏览量:107555
- 【文原创】认真的写了一篇基于SG3525的推挽,附有详细..
时间:2015-08-27 浏览量:100288