适用于高能效电源转换产品的OptiMOS 3 75V MOSFET
摘要:生产商:英飞凌科技InfineonTechnologies产品说明:OptiMOS375V功率MOSFET系列具备业内领先的导通电阻(RDS(on))和品质因素(FOM,Qg*RDS(on)...
生产商:英飞凌科技 Infineon Technologies
产品说明:
OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列具备业内领先的导通电阻(RDS(on))和品质因素(FOM, Qg * RDS(on))特性,可在任何负载条件下,降低开关模式电源(SMPS)、电机控制和快速开关D类功放等电源产品的功率损耗并改善其整体能效。
OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列,是交流/直流开关模式电源(譬如面向全球市场的台式机和计算机服务器装备的电源)的同步整流的理想选择。电脑产业拯救气候行动计划发起的80PLUS Gold金牌认证规定的新能效目标,要求在美国能源之星计划当前的要求基础上再使计算机的能效提高约10%。新推出的OptiMOS 3 75V功率MOSFET可以帮助满足这些规范。
导通电阻最低温度系数[<0.7%/°K]等特性,确保在温度升高时,实现极低的导通损耗。更低的功率损耗消除了多器件并联需求,并允许采用较小的散热器,从而降低了系统成本。
OptiMOS 3 75V功率MOSFET还有助于客户设计出更加紧凑的电源。例如,采用SuperSO8封装的OptiMOS 3 75V器件可用于代替同等功率密度的D2PAK器件。这可使占板空间、垂直高度和封装宽度分别降低60%、77%(从4.44毫米降至1毫米)和50%左右(从10.1毫米降至5.15毫米)。OptiMOS 3 75V 功率MOSFET系列包含一款采用SuperSO8封装、导通电阻为4.2毫欧的器件,单价为0.7美元(订购量达到10,000颗);同时,当订购量达到10,000颗时,采用TO-220、TO-262和D2PAK封装的型号的单价分别为0.65美元(导通电阻等级为5毫欧)、 0.9美元(导通电阻等级为3毫欧)和1.7美元(导通电阻等级为2毫欧)。
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