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东芝宣布推出新一代超结功率 MOSFET

时间：2018-08-28 11:45来源：东芝半导体&存储产品

摘要：新器件进一步提高电源效率

东京-- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出新系列的下一代650V功率MOSFET，用于数据中心服务器电源、太阳能（PV）功率调节器、不间断电源系统（UPS）和其他工业应用。

TK040N65Z是DTMOS VI系列的首款器件，是一款支持续漏极电流（ID）高达57A，脉冲电流（IDP）高达228A的650V器件该款新器件提供0.04Ω（0.033Ω典型值）超低漏源极导通电阻RDS(ON)，可有效减少电源应用中的损耗。得益于更低的电容设计，该款增强型器件成为现代高速电源应用的理想之选。

关键性能指标／品质因数（FoM） – RDS(ON) x Qgd的降低使得电源效率得到提高。与上一代DTMOS IV-H器件相比，TK040N65Z的这一重要指标提升40%，这意味着电源效率显著提高，据测量，2.5kW PFC电路中电源效率提高大约0.36%[1]。  

该款新器件采用业界标准的TO-247封装，既实现了与旧版设计的兼容性，也适用于新项目。
为满足市场需求，东芝将继续扩大其产品阵容并帮助提高电源和电源系统的效率。  
该款新器件的批量生产和出货即日启动。

应用场合

·  数据中心（服务器电源等）
· 光伏发电机功率调节器 
· 不间断电源系统

特点

·  RDS(ON) × Qgd降低，支持开关电源提高效率  

主要规格

(@Ta=25℃)
产品型号 TK040N65Z
封装 TO-247
绝对最大额定值  漏源极电压VDSS （V） 650
漏极电流（直流）ID（A） 57
漏源极导通电阻RDS(ON)最大值 @VGS=10 V （Ω） 0.040
总栅极电荷Qg典型值（nC） 105
栅漏电荷Qgd典型值（nC） 27
输入电容Ciss典型值 （pF） 6250
上一代系列（DTMOS IV-H）产品型号  TK62N60X
 
注：
[1] 截至2018年6月，东芝测量值（2.5kW PFC电路@输出功率=2.5kW）。

有关东芝400-900V MOSFET产品阵容的更多信息，请访问以下链接：
400V-900V MOSFETs

请访问以下链接，查看线上分销商处的新产品供应信息：
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/buy/stockcheck.TK040N65Z.html

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