低噪声和稳定性不可兼得?罗姆带您颠覆传统,探寻更多可能!
时间:2018-08-08 14:54来源:罗姆半导体集团
摘要:与低噪声性能呈矛盾关系的相位裕量和容性负载驱动也分别实现了业界顶级性能(相位裕量68°,容性负载500pF),还是一款具备业界顶级的低噪声性能,并具有卓越的稳定性(不易振荡,易于操作)的运放产品。
LMR1802G-LB融合ROHM的“电路设计”、“工艺”、“布局”三大模拟技术优势开发而成,是一款等效输入电压噪声密度(以下简称“噪声性能”)仅为市场流通产品(以下简称“传统产品”)的1/2左右(1kHz 时2.9nV/√Hz,10Hz 时7.8nV/√Hz)、低噪声性能具有绝对优势、传感器信号检测性能显著提升的运算放大器。另外,与低噪声性能呈矛盾关系的相位裕量和容性负载驱动也分别实现了业界顶级性能(相位裕量68°,容性负载500pF),还是一款具备业界顶级的低噪声性能,并具有卓越的稳定性(不易振荡,易于操作)的运放产品。
※截至2018年7月5日 ROHM调查数据
特点
低噪声且更易用,业界顶级性能的低噪声CMOS运算放大器
新产品作为融合ROHM的“电路设计(差分输入级新电路)”、“布局(多年积累的模拟布局)”、“工艺(为了低噪声而优化)”三大模拟技术优势开发而成的低噪声CMOS运算放大器,等效输入电压噪声密度实现1kHz 时2.9nV/√Hz、10Hz 时7.8nV/√Hz,与市场流通品相比,噪声量仅为1/2左右,低噪声性能具有绝对优势。
另外,以往在追求运算放大器的低噪声性能时,存在相位裕量和容性负载特性恶化、容易振荡等电路设计方面的难题。而ROHM通过在运算放大器的差分输入级采用新电路,不仅实现了业界顶级的低噪声性能,还同时实现了业界顶级的68°相位裕量和500pF容性负载驱动。
这使得传感器信号检测性能显著提升(例如提高至传统产品的2倍等),仅几µV的电压也可准确地放大,非常有助于以“高精度”为关键词的搭载传感器的设备实现更高性能。
引发误差的输入失调电压和输入偏置电流也力求极小化
运算放大器当输入电压为0V时输出电压应为0V,不过因其结构方面的原因将产生失调电压而出现误差。另外,当传感器输出的阻抗较高时,如果运算放大器的输入偏置电流较大,则将影响到传感器输出电压。这两个特性作为导致运算放大器误差的主要因素,要求其值要尽量小。
新产品的输入失调电压仅为450µV(传统产品的1/4),输入偏置电流仅为0.5pA(传统产品的1/2),从减少误差的角度看也可实现高精度放大。
应用示例
▪ 搭载声纳和光传感器的测距设备
▪ 安保设备、红外线遥控器及夜视装置等搭载红外传感器的设备
▪ 硬盘等精密工作设备
▪ 流量计、气体检测仪等设备管理装置
▪ 其他搭载传感器并需要高精度检测的工业设备、消费电子设备
术语解说
*1) CMOS (Complementary metal-oxide-semiconductor的缩写,互补型MOS的简称)与Bipolar相比,具有输入电流小、适合低电压工作的特点。
※截至2018年7月5日 ROHM调查数据
特点
低噪声且更易用,业界顶级性能的低噪声CMOS运算放大器
新产品作为融合ROHM的“电路设计(差分输入级新电路)”、“布局(多年积累的模拟布局)”、“工艺(为了低噪声而优化)”三大模拟技术优势开发而成的低噪声CMOS运算放大器,等效输入电压噪声密度实现1kHz 时2.9nV/√Hz、10Hz 时7.8nV/√Hz,与市场流通品相比,噪声量仅为1/2左右,低噪声性能具有绝对优势。
另外,以往在追求运算放大器的低噪声性能时,存在相位裕量和容性负载特性恶化、容易振荡等电路设计方面的难题。而ROHM通过在运算放大器的差分输入级采用新电路,不仅实现了业界顶级的低噪声性能,还同时实现了业界顶级的68°相位裕量和500pF容性负载驱动。
这使得传感器信号检测性能显著提升(例如提高至传统产品的2倍等),仅几µV的电压也可准确地放大,非常有助于以“高精度”为关键词的搭载传感器的设备实现更高性能。
引发误差的输入失调电压和输入偏置电流也力求极小化
运算放大器当输入电压为0V时输出电压应为0V,不过因其结构方面的原因将产生失调电压而出现误差。另外,当传感器输出的阻抗较高时,如果运算放大器的输入偏置电流较大,则将影响到传感器输出电压。这两个特性作为导致运算放大器误差的主要因素,要求其值要尽量小。
新产品的输入失调电压仅为450µV(传统产品的1/4),输入偏置电流仅为0.5pA(传统产品的1/2),从减少误差的角度看也可实现高精度放大。
应用示例
▪ 搭载声纳和光传感器的测距设备
▪ 安保设备、红外线遥控器及夜视装置等搭载红外传感器的设备
▪ 硬盘等精密工作设备
▪ 流量计、气体检测仪等设备管理装置
▪ 其他搭载传感器并需要高精度检测的工业设备、消费电子设备
术语解说
*1) CMOS (Complementary metal-oxide-semiconductor的缩写,互补型MOS的简称)与Bipolar相比,具有输入电流小、适合低电压工作的特点。
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