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东芝开发出散热性能更强的40V N沟道功率MOSFET

时间：2018-08-03 14:01来源：东芝半导体&存储产品

摘要：新封装提供双面散热，有效改善散热。

东京--八月，东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）将启动面向汽车应用的40V N沟道功率MOSFET——“TPWR7904PB”和“TPW1R104PB”的量产和出货。其采用双面散热、低电阻、小型DSOP Advance（WF）封装。
 
 
 
这些新产品在“DSOP Advance”（WF）封装中安装U-MOS IX-H系列芯片——采用最先进沟道结构的MOSFET，实现高散热性和低导通电阻特性。导通损耗所产生的热量得到有效消散，因此散热设计灵活性得到提高。  

与东芝之前的U-MOS IV系列相比，U-MOS IX-H系列还实现了更小的开关噪声，有助于降低电磁干扰（EMI）[1]。“DSOP Advance（WF）”封装采用可焊锡侧翼端子结构[2]。

应用场合

· 电动助力转向系统
· 负载开关
· 电子泵

特点

· 符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用场合
· 采用顶板（top plate）[3]和漏极的双面散热封装
· 可焊锡侧翼结构有助于提高AOI可见性
· U-MOS IX-H系列具备低导通电阻和低噪音特性

主要规格

（@Ta=25℃）
产品型号 绝对最大额定值 漏源极导通电阻 RDS（ON）最大值（mΩ） 栅源极之间内置稳压二极管 系列 封装
漏源极电压 VDSS
（V）		 漏极电流（直流） ID
（A）		 @VGS＝
6V		 @VGS= 10V
TPWR7904PB 40 150 1.3 0.79 否 U-MOS IX-H DSOP Advance（WF）L
TPW1R104PB 120 1.96 1.14 DSOP Advance（WF）M
 
注：
[1]　EMI（电磁干扰）
[2]　可焊锡侧翼端子结构：一种端子结构，支持在电路板上进行安装的自动光学检测（AOI）。
[3]　请注意，该顶板与源极电势相同，但不能用于电极。

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