导通电阻和Qg更低，有助于实现更低功耗_资讯频道

导通电阻和Qg更低，有助于实现更低功耗

时间：2018-07-12 14:19来源：罗姆半导体集团

摘要：ROHM在以业界最快的trr（反向恢复时间）著称的PrestoMOSTM产品阵容中又新增了“R60xxMNx系列”产品。PrestMOS与标准的超级结MOSFET相比，trr减少约60%，从而大大降低了开关损耗，促进了白色家电和工业设备等电机驱动器和变频器应用的低功耗化发展。

ROHM在以业界最快的trr（反向恢复时间）著称的PrestoMOSTM产品阵容中又新增了“R60xxMNx系列”产品。PrestMOS与标准的超级结MOSFET相比，trr减少约60%，从而大大降低了开关损耗，促进了白色家电和工业设备等电机驱动器和变频器应用的低功耗化发展。

R60xxMNx系列新品是以“不仅保持现有R60xxFNx系列的高速trr性能，还要进一步降低导通电阻和Qg（栅极总电荷量）并降低损耗”为目标开发而成的。一般而言，导通电阻和Qg存在权衡关系，但利用ROHM独有的工艺技术和优化技术优势，实现了两者的高度平衡。

※PrestoMOS是ROHM的商标。

开关损耗和传导损耗更低
R60xxMNx系列不仅保持了ROHM独有的PrestoMOS高速trr性能，还大大降低了导通电阻和Qg。在搭载变频器的空调等电机驱动应用案例中，与使用IGBT的情况相比，轻负载时的功率损耗可减少约56%。这对于近年来的APF（全年能效比）来说取得了非常显著的改善效果。是一款高速trr使开关损耗降低、导通电阻更低使传导损耗降低、Qg更低使驱动电流降低、而且高速性能更佳的系列新品。

逆变器和电机驱动器电路无需FRD
如前所述，该系列产品的trr比以往的标准型超级结MOSFET减少了60%。这得益于内部二极管trr特性的显著改善。特别是逆变器电路和电机驱动器电路的再生电流带来的换流损耗取决于trr。普通的MOSFET和IGBT由于内部二极管的trr慢、损耗增加而需要外置2个FRD（快速恢复二极管）。而PrestoMOS由于trr快、损耗更低当然就不需要再外置2个FRD。