MOSFET目前缺口仍达30% 缺货潮持续到明年

时间:2018-07-09 16:04来源:半导体观察IC

摘要:全球金氧半场效电晶体(MOSFET)产能大缺,下半年恐现缺货潮,ODM/OEM厂及系统厂客户抢产能,台厂大中、富鼎、尼克森、杰力等第3季订单全满,接单能见度直至年底,正酝酿下一波价格调涨。

全球金氧半场效电晶体(MOSFET)产能大缺,下半年恐现缺货潮,ODM/OEM厂及系统厂客户抢产能,台厂大中、富鼎、尼克森、杰力等第3季订单全满,接单能见度直至年底,正酝酿下一波价格调涨。
 
 
 
由于MOSFET受工控及车用电子需求提升,国际大厂纷纷转向高阶MOSFET及IGBT相关应用,外商逐渐退出低功率MOSFET市场,包括:意法、英飞凌等国际IDM大厂下半年MOSFET产能早已被预订一空,加上目前8吋晶圆代工产能极缺,形成MOSFET、指纹辨识、电源管理芯片等抢占产能情况,这导致下游系统厂商及ODM/OEM厂转单至台厂,各家下半年接单能见度大增,接单供不应求。
 
尤以大中最直接受惠,先前因8吋低压MOSFET产能吃紧,导致第2季营收持平至微幅成长,预期在MOSFET缺货情况短期难改善,公司持续进行产品组合调整,争取营收及获利极大化,预计8月份有望再次涨价。连带激励大中近期股价劲扬,今日创下挂牌以来新高记录。
 
业界预料以目前MOSFET缺货情况判断,供给吃紧可能持续至2019年上半年,主要因市场供给产能有限,而汽车及工业应用对MOSFET需求上扬,均有利于后市发展。而大型跨国同业重新聚焦于更高阶、毛利率更高之产品,如汽车及工业应用的IGBT、碳化矽MOSFET、超接面MOSFET,使得通路商 MOSFET与IGBT的交期已增加至6个月以上。
 
金氧半场效电晶体(MOSFET)及绝缘闸双极电晶体(IGBT)等功率半导体IDM厂及IC设计厂均大动作争抢晶圆代工产能,包括茂矽、汉磊、世界先进、新唐等MOSFET或IGBT订单满到年底,第三季已确定涨价,其中6吋晶圆代工价格大涨10-20%,8吋晶圆代工价格亦调涨5-10%。
 
国际电子商情此前报道,国内厂商富满电子 、华冠半导体、芯电元等对电源IC、LED驱动IC、MOSFET等产品进行了调价,有的涨幅达到了15%-20%。据称MOSFET涨幅当属最大。
 
外商产能扩张仍远不足以满足目前需求,且主要是为了未来车用、工业用订单所打造,部分较旧产品线与传统应用已接获产品停产通知书,因此,预期中国台湾的MOSFET供应链可透过抢占电脑、笔电等传统应用之市占率,受惠于近期更加吃紧的产业需求。
 
目前全球电动车市场加速成长,对MOSFET需求急迫,在汽车应用领域的销量超越了计算和数据存储领域,占总体市场的20%以上。预测2018年全球高压MOSFET芯片市场供需缺口仍达30%的情况,随着MOSFET价格不断上调,相关厂商盈利能力有望进一步提升。

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