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美国Integra公司推出新型IGT5259CW25功率晶体管，适用于C波段连续波应用

时间：2018-06-05 11:56来源：Integra Technologies

摘要：美国加利福尼亚州IntegraTechnologies公司宣布推出全新匹配碳化硅上氮化镓（GaNSiC）晶体管，适用于C波段，连续波（CW）应用的RF功率晶体管。

美国加利福尼亚州Integra Technologies公司——全球领先的高功率射频功率晶体管和射频功率模块设计和供应商，宣布推出全新匹配碳化硅上氮化镓（GaN / SiC）晶体管，适用于C波段，连续波（CW）应用的RF功率晶体管。
 
IGT5259CW25为50欧姆完全匹配，瞬时频率范围为5.2-5.9GHz，在36V漏极偏置电压下提供至少25W的输出功率。它具有12 dB的增益，在CW条件下具有48％的效率。 （使用此晶体管时需要负栅极电压和偏置时序。）
 
关于Integra Technologies公司
Integra是高功率RF和微波晶体管和功率放大器的领先设计者和制造商。为雷达、航空电子设备、国防、通信、电子战等应用领域提供定制化解决方案，可小批量到大批量提供定制产品。Integra制造的技术包括GaN / SiC HEMT、Si-LDMOS、Si-VDMOS和Si双极半导体方法，这些技术已在他们自己的工厂及其合作伙伴处得到验证。
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