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台积电、世界先进GaN制程投片量大增，将进入收割期

时间：2018-05-04 17:03来源：联合早报

摘要：受惠于5G即将迈入商转及车用电子、物联网大势所趋，第三代半导体材料氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）进入快速成长期，国际IDM大厂高端产品相继跨入第三代半导体材料制程，台积电、世界先进GaN制程投片量大增，今、明两年进入收割期。

受惠于5G即将迈入商转及车用电子、物联网大势所趋，第三代半导体材料氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）进入快速成长期，国际IDM大厂高端产品相继跨入第三代半导体材料制程，台积电、世界先进GaN制程投片量大增，今、明两年进入收割期。
 
台积电与世界先进着手研发GaN制程技术多年，技术成熟进入量产，目前台积电6英寸产能开出GaN制程提供德商戴乐格（Dialog）产出电源转接芯片；而世界先进则与设备材料厂Kyma、转投资GaN硅基板厂QROMIS携手合作，在去年陆续为电源管理IC客户开出8英寸产能。
 
Dialog指出，以GaN生产电源转换控制器具备高效率、体积小、更高功率优异特性，带来全世界最快速的电晶体。集邦科技旗下拓墣产业研究指出，GaN与SiC除了耐高电压的特色外，也分别具备耐高温与适合在高频操作下的优势，不仅可使芯片面积可大幅减少，并能简化周边电路的设计。
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