台积电、世界先进GaN制程投片量大增,将进入收割期

时间:2018-05-04 17:03来源:联合早报

摘要:受惠于5G即将迈入商转及车用电子、物联网大势所趋,第三代半导体材料氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)进入快速成长期,国际IDM大厂高端产品相继跨入第三代半导体材料制程,台积电、世界先进GaN制程投片量大增,今、明两年进入收割期。

受惠于5G即将迈入商转及车用电子、物联网大势所趋,第三代半导体材料氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)进入快速成长期,国际IDM大厂高端产品相继跨入第三代半导体材料制程,台积电、世界先进GaN制程投片量大增,今、明两年进入收割期。
 
台积电与世界先进着手研发GaN制程技术多年,技术成熟进入量产,目前台积电6英寸产能开出GaN制程提供德商戴乐格(Dialog)产出电源转接芯片;而世界先进则与设备材料厂Kyma、转投资GaN硅基板厂QROMIS携手合作,在去年陆续为电源管理IC客户开出8英寸产能。
 
Dialog指出,以GaN生产电源转换控制器具备高效率、体积小、更高功率优异特性,带来全世界最快速的电晶体。集邦科技旗下拓墣产业研究指出,GaN与SiC除了耐高电压的特色外,也分别具备耐高温与适合在高频操作下的优势,不仅可使芯片面积可大幅减少,并能简化周边电路的设计。

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