国家存储器基地建设再加速 “中国芯”将在武汉面世

时间:2018-04-16 09:30来源:长江网新闻中心

摘要:11日,市长万勇在国家存储器基地项目芯片生产机台搬入活动上强调,要以习近平新时代中国特色社会主义思想为指导,坚决贯彻党中央、国务院和省委省政府决策部署,加快推进国家存储器基地项目建设和技术攻关,让“中国芯”在武汉越做越大、越做越强。

武汉国家存储器基地项目迈出重要一步,正式从工程建设转入量产准备阶段。11日,市长万勇在国家存储器基地项目芯片生产机台搬入活动上强调,要以习近平新时代中国特色社会主义思想为指导,坚决贯彻党中央、国务院和省委省政府决策部署,加快推进国家存储器基地项目建设和技术攻关,让“中国芯”在武汉越做越大、越做越强。
 
2016年7月,国家存储器基地项目花落武汉,承担着中国集成电路闪存芯片产业规模化发展“零”的突破、改变我国通用存储器全部依赖进口被动局面的重大使命。去年9月,国家存储器基地项目提前封顶,此次芯片生产机台进场安装后,年内有望产出我国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片。
 
万勇说,国家存储器基地项目芯片生产机台搬入,是“中国芯”的一大步,也是“新武汉造”的一大步。建设国家存储器基地的过程,是武汉勇担国家使命、推进制造强国的过程,武汉一直在为圆国家存储器基地的美梦而不懈努力。
 
事非经历不知难。万勇与现场嘉宾分享了国家存储器基地项目从争取建设、洽谈项目、会商合作,到选址建设、厂房封顶、研发产品等多个重要时刻的所见所感,引发了现场与会人员的强烈共鸣。他说,正是这一路走来的一个个精彩场景,成就了当天机台搬入这一激动人心的时刻。

我要投稿
近期活动
帖子推荐更多

Copyright 2008-2018 21dianyuan.com All Rights Reserved 备案许可证号为:津ICP备10002348