2017年6月23日，业内著名的功率半导体生产商AOS万国半导体，特邀IGBT 发明人“B.Jayant Baliga” 教授等海内外知名专家在为大家带来 IGBT/IPM/SiC/GaN 等相关议题的技术盛宴，现场近100多个公司近300位研发人员相互探讨相关技术的发展与应用。本次会议于23日下午17:00在上海浦西洲际酒店圆满落幕。


AOS的Sales VP薛兵


AOS 的CEO张复兴


半导体行业协会徐小田秘书长

首先由徐小田秘书长和AOS 的CEO张复兴博士精彩开场，两位发言结束后顿时掌声雷动。Baliga教授还与大家分享了“IGBT器件起源与影响，宽禁带半导体功率器件”这两个主题。


Jayant Baliga教授

AOS万国半导体器件技术副总裁Madhur Bobde 博士演讲的题目是“AOS IGBT/FRD发展与历程”，以自身多年积攒的经验和其独到的视角与大家进行热烈的讨论。


Madhur Bobde 博士

AOS的IGBT产品线副总裁 Bum-Seok Suh博士的演讲主题为“IGBT/SiC/IPM应用”,Suh博士用简短的语言概括总结主题，得到大家经久不息的掌声。


Bum-Seok Suh博士

万国半导体Wide Bandgap产品资深总监David Sheridan的演讲主题为“AOS GaN/SiC技术发展历程”。


产品资深总监David Sheridan