本帖是专讲反激的，关于反激的恒流有很多，最常规常见的就是后面 检测电阻+运放恒流；其他PFC恒流需要看IC本身是否支持；PSR原边反馈恒流目前做的有两种模式，一种是在MOS管关断漏感引起震荡后面平台的那段电源取点来实现恒流，另一种方式就是在电流斜线上升的过程中取点恒流，无非就这两种，具体的看哪家的IC了。

讲反激变压器之前，先说明两个定义：
1.Vor定义为反射电压。
2.Krp定义为电流的波峰比，即峰峰值：峰值。
反激是由Buck-Boost电路演变而来，最苛刻的点为最低输入电压，输出满载时，所以我们要选择这个点来设计。

一、选定反射电压Vor
选反射电压就是确定最大占空比
D=Vor/(Vor+Vs),D为占空比，Vor反射电压，Vs最低输入电压（此电压一般为输入的交流Vac*1.2，因为整流后的电解电容不会无穷大）。
此公式由以下推到可得：
当开关管开通的时候，原边相当于一个电感，电感两端加上电压，其电流值不会突变，线性的上升，有公式上升了的I=Vs*Ton/L,这三项分别是原边输入电压，开关管开通时间，和原边电感量。在开关管关断的时候，原边电感放电，电感电流下降，同样要尊守上面的公式定律，此时有下降了的I=Vor*Toff/L,这三项分别是原边感应电压，即放电电压，开关管关断时间，和电感量．在经过一个周期后，原边电感电流的值会回到和原来一样，不可能会变，所以，有Vs*Ton/L=Vor*Toff/L,，上升了的，等于下降了的，上式中可以用D来代替Ton，用1-D来代替Toff，移项可得，D=Vor/（Vor+Vs），亦是最大占空比。
二、确定原边电流的参数值
无非三个值：平均值、有效值、峰值。

上图为原边电流波形图
前面已经说过，Krp的定义，我们来解方程吧，今天先说到这，方程如下：

三、选定变压器磁芯
选磁芯有两种方法，一个是用AP法计算，这个计算繁琐，而且也不是太准确，二是经验法，我一般靠经验。如果没有经验也没有关系，先选一个磁芯如果不行在换大一点的，慢慢经验积累起来以后，就好了。
四、计算变压器原边匝数、线经等
计算匝数、线经首先要选一个B值，这个B值一般选取在0.1-0.25之间，当然了要以最后核算的B值为准，一般情况不要超0.3，特殊情况可以，一般作为锰锌铁氧体，B值也就到4800GS，即0.48T。说到这里有个法拉第电磁感应定律公式，V*T=L*I=N*B*S，各个字母代表意思就不用说了吧。
线经的载流密度一般4-10A/mm2，如果是铝基板的那种或者强冷风散热另当别论，如果多股线的话，最好不要超过0.4mm并饶，趋肤效应。
五、计算变压器次边匝数、线经等
所有的公式和第四步基本一样，载流密度亦同。
六、计算变压器反馈绕组匝数
计算匝数原理同上，线经选取0.2mm的即可，因为IC一般吃电流也就几个mA，线太细了容易断，太粗了成本受不了。
七、计算变压器电感量
公式还是法拉第电磁感应定律公式。
八、核算以上参数
至此变压器设计基本算完毕。
 
下面把用到的公式看看弄成PDF格式是否可以上传。
图片可以上传了：

最后大家自己编一个表格，根据上面我的公式，这样变压器设计基本就完成了。我只能给出模板，PDF的，大家自己动手做。
图片可以上传了：

下铺残哥：
问一下，初级线圈匝数是否可以通过以下公式计算？
Np=Lp*Ippk/（B*Se）    
初级线圈电感Lp，可以用下面公式计算吗？
Lp=Uin*Ton/Ippk   (我是根据基本的关系L=U*dt/di 来计算的，Uin是 220v*1.414）
不知道Lp这样理解对不对。撸主给的公式，还有krp。为什么要加这个系数，不是很明白。
Np和Lp的计算有差别，请大师指点。
我明白了ccm模式下，krp=1   
 
楼主：
虽然套用的是法拉第电磁感应定律，但是对公式没有理解透，电流是上升的电流，非峰值电流，Np=Vs*Ton/Bset/Se来算，这个时候你还没有到计算电感量的那一步，另外Lp=Vs*Tona（核算后的）/[Ippa（核算后的）*Krp],Ippa*Krp才是上升的电流，我们前面已经定义了，Krp为峰峰值/峰值电流。
我明白了ccm模式下，krp=1   
波形无法上传，等我研究下是什么原因，上传波形后就一目了然了。
 
下铺残哥：
KRP一般怎么取值比较好？
 
楼主：
CCM模式，Krp一般在0.6左右设计，不能一概而论的。
 
下铺残哥：
非常感谢。我也用你的公式，验证了我们公司的一些开关电源部的参数。很接近。
受益匪浅。
还有两个问题，还请分享一下：
1）国内常用的开关电源ic有哪些阿？
非隔离和隔离电源，我常用罗姆和三肯(sanken)的，其他的没有用过，有机会想买来自己做做。
2）不知道大湿在pfc 这块有没有搞过。
我只知道提高功率因数和过高周波实验的时候最好有这回路。但实际参数设计并不了解。
 
楼主：
1.如果是初学者建议把3842？？吃透，然后无论哪家的IC原理都差不多，只不过集成了很多其他的功能，如OLP\OTP、软启动等等的。用哪家的IC无所谓，关键IC的datasheet你的吃够，这样就OK了。
2.PFC在2009年学习的时候就玩过了，当时玩的MC33262和NCP1654，前者是CRM模式，后者是CCM模式的，无论哪种，把datasheet看懂，然后自己编写一个表格方便以后用。
 
天涯：
楼主，请问反射电压Vor 如何选取，有么有理论依据？

楼主：
选取反射电压的过程也是选取最大占空比的过程，上面已经有说明，在着重说明一下：
反射电压的选取和以下因素有关
最低输入电压，如果你电源是85～264Vac输入，那么85*1.2=102Vdc（一般电解电容由于成本的问题要*1.2，如果电解不惜成本可以*1.414，看情况了，这个电压是整流滤波后的电压，它是有纹波的，按照波谷考虑），我们选取100Vdc，D=Vor/（Vor+Vs），如果你反射电压选取80V，那么占空比D就是80/（80+100）=0.44，一般在最低输入电压的时候最大占空比不要超0.5，超了0.5，会有个右半平面零点，必须加斜坡补偿来抵消，环路不好调试，初学者建议不要尝试，有经验了可以设计最大占空比大于0.5，那么Vor可以选大点，但是选大Vor有一问题，在最高输入电压的时候264Vac，264Vac*1.414=374V，如果你反射选取的大，在MOS管关断的时候可以计算峰值电压为：374V+Vor+漏感和杂散电容谐振引起的尖峰=...，MOS的耐压就要选的高一些，这样成本又上去了，当然你可以选择RCD+TVS的方式做吸收，这个还是折中的问题，性价比最大化是根本。  
现在这种反激电源，恨不得能省个贴片电阻，绝不加贴片电阻，成本拼的太厉害了。综合考虑！
 
天涯：
谢谢楼主热心回复，还是Vor取值的问题，按照楼主的说法，我只需要根据给定参数中的最低交流输入电压就可以计算Vor取值。
我不是使坏，只是想把楼主给定的输入电压范围:85Vac~265Vac,修改成138Vac~265Vac，
按照上面的取值方式，Vin_dcmin=138Vac*1.2=165.6V, 我取Vor=160V（这种取法没问题吧），
Dmax=Vor/(Vor+Vin_dcmin)=0.491,.....
啊， Semiconductor, TI...他们的3845不能用了耶(duty_max<=0.46/0.47),
我好想说错了什么。
 
楼主：
3845要求占空比不大于0.5，实际使用的时候不能超0.46，这个很多产品都验证过了。
如果经验丰富，MOS管不惜成本，吸收回路不嫌麻烦，效率又不要求很高，反射电压可以取到130-150的，这个没问题。
反射电压，是你自己选的。
 
赵日天：
电压范围:85Vac~265Vac,修改成138Vac~265Vac，这个不是包括的关系么，直接按85V计算不就好了，干嘛非得按138V来计算？
 
天涯：
NO，给定参数里要求最低电压138Vac才能开机，不可以吗？
 
赵日天：
138V开机不开机这个是由于IC有输入电压检测吧，IC检测到低于这个电压就不开机，与计算变压器关系不打我觉得，你85V占空比估计0.46那138V的时候占空比小点了啊。
 
楼主：
一个是设计变压器的时候，138V输入的时候就在重启，这个点是需要反复设计几次的，以前给青岛某公司设计的一款电源就是这样。
要不就加输入欠压保护电路低于138Vac的时候不启动，只有高于这个值才启动，办法很多。
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