EiceDRIVERTM 系列新产品:1EDI Compact驱动器采用无芯变压器技术 适用于电压高达1200 V的应用
摘要:2013年12月4日——英飞凌科技股份公司(法兰克福股票交易所股票代码:IFX/美国柜台交易市场股票代码:IFNNY)今日宣布,在今年的电气自动化系统及元器件(SPSIPCDrives)贸易展上,英飞凌科技股份有限公司推出针对绝缘电压高达1200伏的应用的1EDIEiceDRI...
2013年12月4日——英飞凌科技股份公司(法兰克福股票交易所股票代码:IFX / 美国柜台交易市场股票代码:IFNNY)今日宣布,在今年的电气自动化系统及元器件(SPS IPC Drives)贸易展上,英飞凌科技股份有限公司推出针对绝缘电压高达1200伏的应用的1EDI EiceDRIVERTM Compact单通道栅极驱动器。该款电气绝缘驱动器的组件采用英飞凌研发的无磁芯变压器技术,该技术可以在独立的输出引脚上实现高达6安培的输出电流。该产品的基本系统包括适用于IGBT和MOFET的UVLO(欠压锁定)以及在驱动器未连接到电源时的主动关断设置。1EDI驱动器采用紧凑的DSO-8封装,可以在高达125°C的环境温度下使用,适合于工业驱动器、逆变器、焊接设备、感应式烹饪电器和服务器或通信所用的电源装置等应用领域。
“通过1EDI驱动器集成电路,我们将丰富的驱动器集成电路系列进一步扩展至紧凑型领域,驱动器集成电路产品系列根据相关应用和功能而有差分。与2EDL Compact产品一样,此款新驱动器组件面向消费者和工业领域的大众市场。”英飞凌EiceDRIVERTM营销负责人 Oliver Hellmund说道:“1EDI Compact可靠性高,可以十分安全地控制高压功率半导体器件。我们推出的紧凑型驱动器系列现在涵盖了要求电气绝缘的功率半导体的所有应用领域。”1EDI 驱动器集成电路共有八种不同型号,可以在高达1200伏的电压下工作,专为采用IGBT或MOSFET的应用领域而设计。
新型EiceDRIVERTM产品是首款可以达到100千伏/微秒的CMTI(共模抑制)值的驱动器集成电路。对于MOSFET或者IGBT我们都有专门的驱动器可以提供六安的输出电流。MOSFET驱动器经优化,可以与采用CoolMOSTM技术的功率半导体器件相结合使用。由于传导损耗较低,因此EiceDRIVERTM可以让新一代CoolMOS C7的效率再提高0.5个百分点。目前输出电流为4安培、2安培和0.5安培安且仅针对IGBT的其他型号尚在制备中。EiceDRIVERTM中的五种不同型号均有设置独立的输出端口,用于对栅极进行充放电。其他三种型号则设计成用于限制栅极电压(有源米勒箝位),可以提供3安培、2安培和1安培的输出电流。
除了紧凑型类别,EiceDRIVERTM系列还包括EiceDRIVERTM增强型类别,该类别具备增强型功能,适用于工业领域和部分消费者领域。
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供货和其他信息
适用于MOSFET和IGBT并可提供6安输出电流的1EDI EiceDRIVERTM现在可提供样品;从2014年1月开始,相关的客户评估板现也可订购。此类产品的不同型号预计在2014年3月投产。其他类别的驱动器预期在2014年第一季度可提供样品;相关生产则计划在2014年的第二个季度开始。关于驱动器集成电路整个系列的更多详细信息,请访问 www.infineon.com/eicedriver。
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