FemtoFET MOSFET 归属 TI NexFET 功率 MOSFET 产品系列，该系列还包括适用于手机等便携式应用的 CSD25213W10 P 通道器件以及 CSD13303W1015 N 通道器件等。TI 提供 LP5907 大电流低压降 (LDO) 线性稳压器以及 TPS65090 前端电源管理单元 (PMU) 等各种系列的电源管理产品，可为手持应用节省板级空间，降低功耗。

FemtoFET MOSFET 系列的主要特性与优势

· 不足 100 毫欧的导通电阻比类似器件低 70%，可节省电源，延长电池使用寿命；

· FemtoFET 0.6 毫米 × 1.0 毫米 × 0.35 毫米的 LGA 封装比标准 CSP 小 40%；

· 1.5A 至 3.1A 的持续漏极电流值与当前市场类似尺寸器件相比，可提供超过 2 倍的性能。

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供货情况

FemtoFET MOSFET 器件现已开始批量供货，可通过 TI 及其授权分销商进行订购。

了解更多详情：

· 采用 TI WEBENCH 电源设计工具在线设计完整的电源管理系统；

· 从 TI PowerLab™ 参考设计库下载电源参考设计。

· 访问德州仪器在线技术支持社区咨询问题：www.deyisupport.com。

商标

WEBENCH 是德州仪器的注册商标，而 FemtoFET、NexFET以及 PowerLab 则是其商标。所有其它商标均归其各自所有者所有。