中国功率器件市场近年来一直保持快速增长，近五年来，市场复合增长率达27.8%，是半导体产品中市场发展相对较快的产品。

　　随着节能产品需求增多，电源|稳压器管理芯片、MOSFET等功率器件越来越多应用到整机产品中，在整机市场产量不断增加以及功率器件在整机产品中应用比例不断提升的双重带动下，中国功率器件市场近年来一直保持快速增长，近五年来，市场复合增长率达27.8%，是半导体产品中市场发展相对较快的产品。

　　置受诸多因素影响，中国电源管理芯片市场增长率近年持续下降，但预计2008年有望止跌回升。

　　功率器件主要分为功率分立器件以及电源管理IC两大类产品。从市场份额来看，电源管理IC大概占40%，而功率分立器件则占60%，二者广泛应用于各种各样的电子产品之中。

　　电源管理芯片经历了多年的快速发展之后，由于产品库存调整、用量增长率放缓以及产品价格下降等诸多因素的影响，市场发展在2007年有所放缓，预计2007年中国电源管理芯片的市场增长率将下降到15%左右，是近年来增长率首次跌落到20%以下。然而由于2007年的市场基数处于一个较低的水平以及未来应用还将稳定增加，因此中国电源管理芯片市场有望在2008年重新回到20%的增长水平。目前电源管理芯片应用最多的两类产品依然是LDO和DC-DC产品，未来PMU、电池管理以及热拔插等产品的市场份额将会有所提高。

　　电源管理芯片主要应用于计算机、网络通信、消费电子和工业控制等领域，此外，汽车电子领域虽然所占市场份额较小，但却是发展最快的领域，此外，网络通信也将在3G等应用的带动下保持快速的发展，其市场份额也将稳步提高，而消费电子、计算机和工业控制领域的发展则会相对稳定。

　　更高的集成度与功率密度、更强的耐压与耐流能力以及更高能效等等一直是电源管理芯片的发展方向，技术的不断更新和发展也是推动电源管理芯片市场发展的主要因素之一。从竞争格局来看，电源管理芯片无论在市场还是技术，欧美厂商都占据绝对优势，尤其是美国厂商。虽然意法半导体、恩智浦和英飞凌三家欧洲大厂也有很强的竞争力，但是电源管理芯片只是它们众多产品线中的一个而已，而美国则拥有国半、德州仪器|仪表、飞兆、安森美半导体、IR、美信以及凌力尔特等众多厂商，而且多为专注于电源管理领域的厂商。电源管理芯片市场欧美强势格局已经持续多年，而且从目前来看，这种格局在未来几年还将继续。

　　虽然欧美厂商在技术和市场上都保持优势，但并不代表中国以及其它地区的新进入者没有机会，目前中低端电源管理芯片的技术门槛对众多有能力的设计公司来讲已经不是问题，在中国大陆有圣邦微电子、长运通、龙鼎、明微和华润矽威等一批从事电源管理芯片研发的企业，虽然产品基本限定在LDO、DC-DC和LED驱动等产品中，但毕竟已经在市场取得一定成功。客观的说，目前这些新进入者无法对欧美厂商形成太大威胁，无论在产品线的完整性还是产品技术方面都明显落后于领先厂商，但是这些厂商在电源管理芯片的中低端领域已经具备一定的竞争力，未来如果发展良好，在某些领域和产品应用中可以和欧美领先厂商一较高下。

　　在功率分立器件市场，IGBT和MOSFET都将保持着较高的增长速度，但由于IGBT产品主要应用在高压产品中，市场应用受到一定的限制，所以市场规模要小于MOSFET。而受到消费电子以及高输出电流和高性能要求的计算机市场的带动，低压MOSFET市场在未来将保持着比较快的增长；对于高压MOSFET来说，电源的高能效要求则是影响产品未来发展的主要因素。随着汽车中IC用量逐步增多，为了满足这些日益增多的IC对电源的需求，MOSFET的用量也呈现出上升趋势。另外MOSFET在电动五金|工具等产品中的应用将推动其在工业控制领域的发展。

　　从工艺技术上看，由于Trench技术能够有效降低产品导通电阻，并且具有较大电流处理能力，所以近年来Trench MOSFET在计算机、消费电子等领域中发展快速。目前Trench MOSFET技术在低压MOSFET产品市场中已被广泛接受，具有很高的市场占有率。在高压MOSFET市场上，虽然随着Trench MOSFET工艺技术的不断提升，产品的耐压能力有了一定的提高，但相较于Planar产品Trench MOSFET的耐压能力仍有一定的差距。整体上来看，在高压MOSFET市场上，Planar技术仍有一定的发展空间。未来，含有高端工艺的平面技术将会是高压MOSFET的发展趋势。

　　无论是电源管理芯片还是功率分立器件，未来中国市场的发展都很难达到近五年来的增长速度，直接因素就是未来整机制造业向中国转移趋势的减缓，以及众多整机的增长率在经历了多年的高速增长之后将会逐渐饱和，因而造成的下游整机产量增长的减缓，整机产量增长率的减缓将直接导致功率器件需求量增长的减缓，从而影响功率器件市场的发展。未来5年，预计中国功率器件的复合增长率将在15%左右。

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