瑞萨电子(Renesas Electronics)推出能为电源供应器提供超高效率的高压N沟道电源金属氧化半导体场效电晶体(MOSFET)──RJK60S5DPK。新的功率MOSFET能减少PC伺服器、通讯基地台以及太阳能发电系统的耗电量。
RJK60S5DPK功率MOSFET极适用于电源供应器的主要电源交换电路，用以将交流电(AC)转换成直流电(DC)。RJK60S5DPK为瑞萨电子高压功率MOSFET系列的第一款产品，采用高精密超结合技术结构，达到功率MOSFET设备主要整体效能指数的优值(FOM)标准，与瑞萨电子现有产品相较，效能约可提升90%。
近来对于提高电源供应电路效率以减少耗电量的需求与日俱增，而且虽然平面电视、通讯基地台、PC伺服器以及太阳能发电系统的高输出交换电源供应的电源转换效率已有所提升，但对于低耗电量的需求仍非常强劲，也因此带动低导通电阻功率MOSFET产品的市场需求。然而，使用传统的平面结构所能达到的改良程度有限，因此瑞萨电子便发挥在电源装置科技领域的专业能力，开发出采用深槽制程的高精密超结合技术结构，得以产出低导通电阻的MOSFET产品。
瑞萨新推出的RJK60S5DPK功率MOSFET可达到150毫欧的导通电阻(mΩ，ID标准值=10A，VGSS=10V)，较瑞萨电子现有的功率MOSFET产品低52%，如此可减少电源转换时的损失。
这款新的功率MOSFET具备仅6nC(nanocoulomb，ID标准值=10 A，VGSS=10)的驱动电容(闸极电荷Qgd)，可影响交换速度，相较于瑞萨电子现有产品可节省80%的转换电荷，因此能透过高速交换提高电源转换效率。RJK60S5DPK功率MOSFET封装大小与TO-3P标准封装相同，且pin脚的配置符合产业标准，因此可轻易安装于使用传统平面MOSFET设备评估的交换电源供应电路板。
此外，这款采用高精密超结合技术结构的功率MOSFET系列产品所能提供的每单位面积导通电阻，约较瑞萨电子现有平面结构系列产品低80%，因此若导通电阻维持不变，则可减少晶片面积。瑞萨电子利用此一优势，预计于未来将推出各种小型封装规格的电源装置产品，例如以TO-220FL(10 mm × 15 mm)封装产品提供使用TO-3P(15.6 mm × 19.9 mm)的现有封装产品效能。