算力爆发，催生多相电源增量蓝海
当前，AI 算力建设已进入爆发期。大模型训练、自动驾驶、工业智联等场景的快速迭代，使算力需求呈指数级增长。据机构预测，2026 年全球 AI 服务器出货量将达到约 370 万台，同比增长 51.3%。
AI 算力热潮带来的不仅是芯片功耗的飙升，更是电流需求的成倍放大。在此背景下，多相控制器 + DrMOS 的低电压大电流方案，凭借其可支持更大电流、更优瞬态响应和更高效率的优势，已成为大算力芯片的主流供电技术，并有望从高端服务器向通用 AI 服务器、边缘算力全面渗透，迎来更广阔的发展空间。
 
CPU/GPU高效供电解决方案
DrMOS 通过合封或单 die 技术，将驱动器与功率 MOSFET 集成于同一封装内，具备更小体积、更低寄生参数、更快开关速度和更低损耗等优势，同时可简化 PCB 布局，提升热管理性能，尤其适用于对空间和效率要求极高的高密度电源应用场景。其中，单 die 方案有利于未来垂直供电架构中 VRM 封装模块的集成，为下一代算力芯片的供电形态预留了更大的演进空间。通过多路 DrMOS 并联，算力芯片可承载的电流得以线性增加，但随之而来的是指数级增长的控制复杂度。多相控制器正是应对这一挑战的核心，它负责与主芯片通信，动态调配各相输出，实现对整个供电系统的精准协同控制。
南芯科技 CPU/GPU 高效供电解决方案 (SD13050 + SD22442) 支持 5V-16V 输入总线及双电压轨输出，每路相数灵活可配，可适配不同功率等级的设计需求。SD22442 支持 DCM（非连续导通模式）与 APS（主动切相）功能，配合 SD13050 的高精度 ZCD 电流检测，可显著优化轻载条件下的系统效率。
DrMOS SD13050
作为整套方案的能量转换核心，SD13050 可在 5mm*6mm 的极小 LGA 封装内实现高达 60A 的连续输出电流，并在全负载范围内保持高效率，同时具备高精度采样与全面保护机制。通过优化的死区时间控制与寄生电感抑制设计，SD13050 确保系统在全负载条件下维持高效率。此外，SD13050 集成了高精度电感电流采样与温度采样功能，为四相控制器提供实时故障保护的数据支撑。内置的丰富保护机制可有效防止自举电容过度放电，确保高频运行下的系统可靠性。
双轨四相数字控制器 SD22442
SD22442 则是整套方案的指挥中枢，采用 6mm*6mm QFN 封装，支持在两个独立电压轨上灵活配置最多四相输出。其核心竞争力在于全面的数字控制能力与丰富的接口兼容性：兼容 PWMVID 和 PMBus 双通信协议，可灵活适配不同处理器平台的电源管理规范；内置 MTP 存储器，支持用户自定义配置的安全存储与调用。车规版本 SD22442Q 符合 ISO 26262 ASIL-B 功能安全等级，为对安全性有严苛要求的自动驾驶系统提供坚实保障。
 
南芯科技算力电源产品家族
随着 AI 算力从云端向边缘、终端持续下沉，以及自动驾驶等级的不断提升，大电流、高动态的供电需求将成为算力芯片的长期刚需。南芯科技 SD13050 与 SD22442 的组合方案，以完整的供电架构、灵活的双轨配置和车规级的安全保障，为这一趋势提供了牢固的技术底座。未来，南芯将持续深耕高功率密度电源管理领域，以更全面的产品矩阵，助力全球算力基础设施的能效升级。
 
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关于南芯科技
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