TPM1R408RH还可抑制开关过程中在漏极与源极之间产生的尖峰电压，有助于降低开关电源中的EMI。EMI抑制通常需要在设计后期进行返工，而抑制器件本身产生的尖峰电压有助于减少返工，并简化滤波器和缓冲电路。
 
新产品采用SOP Advance (E) 封装，与东芝现有的SOP Advance (N) 封装相比，封装电阻约降低65%，热阻约降低15%。通过抑制发热并改善散热性能，该封装支持更高输出功率和更紧凑的电源设计。
 
东芝还提供支持开关电源电路设计的工具。除可在短时间内验证电路功能的G0 SPICE模型外，现在还提供能够准确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。东芝网站上的在线电路仿真器可让用户在网页浏览器中轻松验证电路运行情况，无需搭建仿真环境或下载器件模型。（在线电路仿真器：此处）
 
东芝将继续扩充有助于提升电源效率的功率MOSFET产品线，从而帮助降低工业设备的功耗。
 
 
▷ 应用：
工业设备
- 用于AI数据中心和通信基站的开关电源
 
▷ 特性：
- 低漏源导通电阻：RDS(ON)＝1.4mΩ（最大值）（VGS＝10V，ID＝50A，Ta＝25°C）
- 低漏源导通电阻×总栅极电荷：RDS(ON)×Qg＝1.4mΩ×80nC＝112mΩ・nC（约比TPM1R908QM的1.9mΩ×108nC＝205.2mΩ・nC低45%）
- 采用低封装电阻和低热阻的SOP Advance (E) 封装
 
▷ 主要规格：

（除非另有说明，Ta＝25°C）

 

注：
[1] 截至2026年6月，基于东芝低压功率MOSFET工艺。
[2] VGS＝10V，ID＝50A，Ta＝25°C
[3] 截至2026年6月的东芝调研。
 
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关于东芝电子元件及存储装置株式会社
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