得益于对英飞凌元器件的优化组合，该款18 kW PSU参考设计实现了97.5%的峰值效率

该款18 kW PSU参考设计引入了一种创新的集成能量缓冲器(Energy Buffer)概念，能够在AI负载突变时，平滑电网端的负载波动，从而无需配置独立的电容器组单元。这种高效率的能量存储方式，能减少50%的电容体积，同时降低了元器件成本并缩小了体积。而30 kW PFC评估板则利用了英飞凌的CoolGaN™技术，以更低的系统成本提供更高的功率密度，这对于需要扩大基础设施规模以满足激增的AI计算需求的数据中心运营商而言，具有极强的吸引力。

得益于对英飞凌元器件的优化组合(包括650 V CoolSiC™ MOSFET、80 V CoolGaN™开关、EiceDRIVER™栅极驱动以及PSOC™微控制器)，该款18 kW PSU参考设计实现了97.5%的峰值效率。其电源转换核心采用了5电平有源中性点钳位(ANPC)PFC拓扑结构，在全负载范围内(尤其是轻载到中载情况下)均能提供卓越的效率，并显著减少了磁性元件的体积。与其他拓扑结构相比，该方案在50%负载下的峰值效率比T型PFC高出0.2%，比维也纳整流器(Vienna Rectifier)高出0.4%。

此外，创新的集成平面磁性结构实现了紧凑、模块化且可扩展的高频变压器设计。其能量缓冲电路可确保20ms的保持时间，并能满足严苛的AI瞬态负载要求，支持高达180%的EDPP负载。该参考设计支持311–528 VAC的三相范围输入，确保了与全球电网标准的兼容性。可靠的散热设计使其能够在-5°C至45°C的环境温度范围内可靠运行。该解决方案尺寸紧凑，仅为104 × 710 × 40 mm，可完美融入标准19英寸机架机箱，并实现了惊人的100 W/in³功率密度。

该款30 kW T型PFC评估板的横管采用了650 V CoolGaN™双向开关，竖管采用1200 V CoolSiC™ MOSFET G2

该款30 kW T型PFC评估板的横管采用了650 V CoolGaN™双向开关，竖管采用1200 V CoolSiC™ MOSFET G2，从而实现了99%以上的峰值效率。通过PSOC™ C3 MCU中集成的可编程电源控制加速器(PPCA)，实现了具有快速动态响应的精准电流和电压控制。该设计在30%以上的负载下可将输入电流总谐波失真(iTHD)保持在5%以下的极低水平，并在绝大部分工作负载范围内实现超过0.99的功率因数。

电流检测由XENSIV™ TLE4978隔离式磁性霍尔+线圈电流传感器处理，该传感器结合了9 MHz的带宽、强大的共模瞬态抗扰度(CMTI)和高精度，非常适合下一代基于SiC和GaN的电源设计。该模块化平台设计用于集成到1U全尺寸PSU外形尺寸中，主要面向HVDC数据中心应用，可在AI工作负载动态且严苛的条件下，满足对精准电压调节和强大散热性能的要求。

两款设计均针对英飞凌广泛的AI服务器供电产品组合进行了优化。英飞凌的产品涵盖了从电网到核心(From Grid to Core)的完整供电链，包括固态变压器(SST)与固态断路器(SSCB)、电源(PSU)和电池备份单元(BBU)、中间总线转换器(IBC)以及VRM电源模块。通过将硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的互补优势相结合，英飞凌为客户提供了一条清晰且经市场验证的端到端电源架构设计路径。该产品组合还拥有持续的设计资源支持，以及专为下一代AI服务器平台量身定制的可扩展、高质量的元器件。

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